【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件封装结构
[0001]本申请涉及半导体封装
，尤其涉及一种功率半导体器件封装结构。
技术介绍
[0002]在各类电力系统中，如汽车电机驱动器、直流升降压系统、光伏逆变系统等，广泛使用各类功率半导体器件。
[0003]通常情况下，为了便于功率半导体器件与各类电力系统进行组装，使用功率半导体器件时，需要将其封装成为封装结构。然而，对于功率半导体器件的封装结构而言，结
‑
壳热阻(功率半导体器件中的功率芯片与底板之间的热阻)是衡量其封装质量的重要指标之一，较低的结
‑
壳热阻能提升封装结构的散热性能，有效降低功率半导体器件的工作温度，避免功率芯片由于温度过高发生损坏，提升功率芯片的可靠性，进而提高封装结构的可靠性。因此，提供一种具有较低结
‑
壳热阻的功率半导体器件封装结构，成为了本领域技术人员的研究重点。
技术实现思路
[0004]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种功率半导体器件的封装结构，该封装结构具有较低结
‑>壳热阻。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：功率芯片；第一导热板，所述第一导热板覆盖所述功率芯片第一表面，并且所述第一导热板尺寸大于所述功率芯片的尺寸；第一基板，所述第一基板覆盖所述第一导热板背离所述功率芯片第一表面的一侧；第一底板，所述第一底板覆盖所述第一基板背离所述功率芯片第一表面的一侧；其中，所述第一导热板对所述功率芯片产生的热量进行横向热传导，实现传递到所述第一导热板中的热量分布在整个所述第一导热板中，且所述第一导热板对所述功率芯片产生的热量进行纵向热传导，实现所述功率芯片产生的热量依次经所述第一导热板、所述第一基板、所述第一底板传递。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热板的横向等效导热系数高于1000W/m
·
K。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一导热板为均热板或热管。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括压头，所述压头上开设有与所述功率芯片形状相匹配的凹槽，所述功率芯片嵌于所述凹槽中，且所述压头覆盖所述第一导热板与所述功率芯片相接的一侧表面中除所述功率芯片所在的区域。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二导热板、第二基板、第二底板；所述第二导热板覆盖所述功率芯片第二表面，所述第二基板覆盖所述第二导热板背离所述功率芯片第二表面的一侧，所述第二底板覆盖所述第二基板背离所述功率芯片第二表面的一侧；所述第二导热板为均热板或热管，尺寸大于所述功率芯片尺寸，并且所述功率芯片第二表面与所述功率芯片第一表面相对；其中，所述第二导热板对所述功率芯片产生的热量进行横向热传导，实现传递到所述第二导热板中的热量分布在整个所述第二导热板中，并且所述第二导热板对所述功率芯片产生的热量进行纵向热传导，实现所述功率芯片产生的热量依次经所述第二导热板、所述第二基板、所述第二底板传递。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二导热板、第二基板、第二底板、金属引线；所述功率芯片第二表面具有第一连接点，所述第一基板与所述第一导热板相接的一侧表面具有第二连接点，所述第一连接点与所述第二连接点通过所述金属引线相连，以使得所述功率芯片与所述第一基板通过所述金属引线相连；所述第二导热板覆盖所述功率芯片第二表面除预设区域以外的区域，所述第二基板覆盖所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：房亮，
申请(专利权)人：经纬恒润天津研究开发有限公司，
类型：新型
国别省市：
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