一种Micro&Mini-LED的架构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro&Mini

【技术实现步骤摘要】
一种Micro&Mini
‑
LED的架构及其制造方法


[0001]本专利技术属于LED显示
，具体涉及一种Micro&Mini
‑
LED的架构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体显示技术的蓬勃发展，Micro
‑
LED技术越来越多的被提及，Micro
‑
LED是一种小型化的LED，它的尺寸介于1um
‑
100um，是目前最有希望替代LCD和OLED的新一代半导体显示技术。就目前Micro
‑
LED技术发展的现状来看，Micro
‑
LED以及其在研究过中所衍生出的Micro&Mini
‑
LED所遇到的最大的难题是无法将数量庞大，体积微小的LED单体芯片从外延片上转移到驱动电路的基板上，为此本专利技术提出一种Micro&Mini
‑
LED的架构及其制造方法。

技术实现思路

[0003]本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro&Mini
‑
LED的架构，包括SiO2层（2），其特征在于：所述SiO2层（2）的底部设置有Gate栅极层（1），所述SiO2层（2）的顶部设置有一层石墨烯层（3），所述石墨烯层（3）的一端设置有Source&Drain电极（5）和N型电极（6），所述石墨烯层（3）的顶部设置有一层N型GaN层（4），且N型GaN层（4）延伸至N型电极（6）上，所述Source&Drain电极（5）的外侧设置有一层PMMA膜层（7），且PMMA膜层（7）延伸至Source&Drain电极（5）与N型电极（6）之间的石墨烯层（3）上，所述N型GaN层（4）的顶部设置有Gaas量子阱层（8），所述Gaas量子阱层（8）的顶部设置有P型GaN层（9），所述P型GaN层（9）的顶部设置有P型电极（10）。2.根据权利要求1所述的一种Micro&Mini
‑
LED的架构及其制造方法，其特征在于：所述Source&Drain电极（5）、N型电极（6）以及P型电极（10）...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄涛，陈廷安，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：