电致发光显示设备制造技术

提供了一种电致发光显示设备。该电致发光显示设备包括：基板，该基板包括显示区和设置在显示区外围的非显示区；设置在非显示区上的栅极驱动器；设置在显示区上的多个像素，像素被配置为接收驱动信号。每一个像素包括：电致发光二极管；驱动晶体管，该驱动晶体管连接至电致发光二极管，并且将电流提供至电致发光二极管；设置在每一个像素中的至少一个开关晶体管。其中，通过对半导体层进行图案化而形成驱动晶体管的沟道区和至少一个开关晶体管的沟道区，驱动晶体管的沟道区尺寸不同于至少一个开关晶体管的沟道区尺寸，驱动晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度和至少一个开关晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度之间的偏差小于或等于10

Electroluminescent display device

【技术实现步骤摘要】
电致发光显示设备
[0001]本申请是申请日为2017年6月6日，申请号为201710419260.6，专利技术名称为“电致发光显示设备及其制备方法”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2016年12月29日提交的韩国申请No.10
‑
2016
‑
0182953的优先权，在此通过参考将其整体并入本文。


[0004]本公开涉及一种显示设备，且特别地，涉及一种电致发光显示设备及其制造方法。

技术介绍

[0005]电致发光元件是自发光元件，其包括阳极、阴极和形成在阳极与阴极间的电致发光层。电致发光层包括空穴传输层(HTL)、发光层(EML)和电子传输层(ETL)。当将电压施加到阳极和阴极时，通过组合经由空穴传输层(HTL)传输的空穴和经由电子传输层(ETL)传输的电子产生激子，从而在发光层(EML)产生可见光。包括自发光电致发光元件矩阵的有源矩阵型电致发光显示设备的有利之处在于快响应速度、发光效率、亮度和宽视角特性。由于这些原因，电致发光显示设备被广泛使用。
[0006]电致发光显示设备的多个像素(P)被设置成矩阵，每个像素都分别包括电致发光二极管(ELD)，其根据视频数据的灰度级控制多个像素的亮度。每个像素都进一步包括驱动晶体管和至少一个开关晶体管，驱动晶体管根据驱动晶体管的栅极和源极之间的电势差控制提供至电致发光二极管的驱动电流，开关晶体管编程驱动晶体管的栅极和源极之间的电势差。根据驱动晶体管的栅极和源极之间的电势差以及驱动晶体管的阈值电压确定驱动电流。像素亮度与提供至电致发光二极管的驱动电流量成比例。
[0007]由此，应当以精确且稳定的方式保持驱动晶体管的栅极和源极之间的电势差以按照所需亮度值显示像素。但是，由于各种原因，每个电极的电压可能存在不希望的偏差。
[0008]例如，会存在晶体管阈值电压(Vth)偏差。而且，栅极线、发光线和数据线会与任意邻近电极产生寄生电容。结果，当改变栅极信号、发光信号和数据信号时，在相邻电极处产生回扫电压(kickback voltage)。此时，对于产生回扫电压的相邻电极，会根据位置关系以不均匀方式产生回扫电压。
[0009]已经尝试通过执行内部补偿电路或者外部补偿电路技术补偿这种阈值电压偏差(
△
Vth)。

技术实现思路

[0010]由此，本公开涉及一种电致发光显示设备及其制造方法，其基本避免了由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或多个问题。
[0011]本公开的一方面提供了一种电致发光显示设备，其包括具有驱动晶体管和开关晶体管的像素，两种晶体管具有不同的沟道区域尺寸，并且减小了倾斜角度偏差。
[0012]在下文的描述中列出了其他特征和方面，且根据下文描述一部分特征和方面是显而易见的，或者是通过实践本文提供的专利技术理念可获知的。可通过所撰写的描述中特别指出或引申出的结构以及权利要求和所附附图，认识到或获得该专利技术理念的其他特征和方面。
[0013]为了实现该专利技术理念的这些或其他方面，如所体现且广泛描述的，一种电致发光显示设备可包括：像素，所述包括：电致发光二极管、被配置成将电流提供至电致发光二极管的驱动晶体管、和被配置成开关提供至驱动晶体管的信号的开关晶体管，其中驱动晶体管的沟道区域尺寸不同于开关晶体管的沟道区域尺寸，且其中驱动晶体管和开关晶体管的沟道区域的边缘的倾斜角度偏差小于或等于10
°
。
[0014]而且，在一种电致发光显示设备的制造方法中，所述方法可包括：在基板上提供用于形成驱动晶体管的沟道区和开关晶体管的沟道区的半导体层；通过光刻工艺图案化所述半导体层上的光致抗蚀剂；和通过使用至少30％的O2气流比率的干法蚀刻工艺，图案化驱动晶体管的沟道区和开关晶体管的沟道区，以使所述驱动晶体管的沟道区的边缘和所述开关晶体管的沟道区的边缘分别具有倾斜角度。
[0015]一旦查阅了以下附图及具体描述，其他系统、方法、特征和优势将会或者将变得对于本领域技术人员显而易见。意在所有这些其他系统、方法、特征和优势都包括在该描述中，或者在本公开的范围内，且由以下的权利要求保护。上述部分全部都不作为对权利要求的限制。在下文中将结合本公开的实施例讨论其他方面和优势。将理解，本公开上文的一般描述和下文的具体描述都是实例和说明性的，且意在提供如所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
[0016]本文包括附图以提供本公开的进一步理解，且附图结合到说明书中并构成说明书的一部分，附图示出了本公开的实施例且与文字描述一起用于解释本公开的各原理。
[0017]图1是示出根据本公开实施例的电致发光显示设备的图。
[0018]图2是示出图1的显示面板的像素的电路图。
[0019]图3是示出用于驱动像素的扫描信号和像素相应节点电压的示意性波形图。
[0020]图4A是初始化周期期间的像素电路图。
[0021]图4B是取样周期期间的像素电路图。
[0022]图4C是发光周期期间的像素电路图。
[0023]图5是示出在取样周期和发光周期的瞬变时间(transition time)由驱动晶体管的栅极和另一电极(或信号线)产生的寄生电容的电路图。
[0024]图6A是示出根据本公开一实施例的电致发光显示设备的像素的驱动晶体管DT的平面图。
[0025]图6B表示沿着图6A中的线A
‑
A
’
取得的截面图。
[0026]图7A是示出根据本公开一实施例的电致发光显示设备的像素的开关晶体管的平面图。
[0027]图7B是沿着图7A的线B
‑
B
’
取得的截面图。
[0028]在所有附图和具体描述中，除非另外描述，相同附图参考数字应理解为表示相同
元件、特征和结构。可为了清楚、说明和简便起见，放大这些元件的相对尺寸和描述。
具体实施方式
[0029]现在将具体参考本公开的一些实施例，其实例于附图中示出。在以下描述中，当确定涉及到该文献的公知的功能或结构的具体描述会模糊专利技术理念的要点时，将省略其具体描述。所描述的工艺步骤或者操作的进程是示例；但是，步骤和/或操作的顺序不限于本文列出的这些，且除了必须以特定顺序进行的步骤和/或操作之外，可以如本领域中公知的那样进行改变。全文中相似参考数字表示相似元件。仅为了便于撰写说明书的目的选择在以下说明中使用的各元件的名称，且由此该名称可不同于在实际产品中使用的那些名称。
[0030]在描述实施例时，当将一结构描述为位于另一结构“上或上方”或者“下或下方”时，该描述应当解释为包括其中该结构彼此接触的情况以及其中在其间设置第三结构的情况。
[0031]尽管将本公开实施例的晶体管示出为P型，但是本公开的技术理念不限于此且可认为该晶体管是N型。
[0032]本公开的专利技术人研究了一种用于电致发光显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光显示设备，包括：基板，所述基板包括显示区和设置在所述显示区外围的非显示区；设置在所述非显示区上的栅极驱动器；以及设置在所述显示区上的多个像素，所述像素被配置为接收驱动信号，所述多个像素中的每一个像素包括：电致发光二极管；驱动晶体管，所述驱动晶体管连接至所述电致发光二极管，并且被配置为将电流提供至所述电致发光二极管；和设置在所述多个像素中的所述每一个像素中的至少一个开关晶体管，其中，通过对半导体层进行图案化而形成所述驱动晶体管的沟道区和所述至少一个开关晶体管的沟道区，并且所述驱动晶体管的沟道区尺寸不同于所述至少一个开关晶体管的沟道区尺寸，和其中，所述驱动晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度和所述至少一个开关晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度之间的偏差小于或等于10
°
。2.如权利要求1所述的电致发光显示设备，其中，所述多个像素接收扫描信号和发光信号。3.如权利要求2所述的电致发光显示设备，其中，所述至少一个开关晶体管被配置为接收扫描信号或发光信号。4.如权利要求3所述的电致发光显示设备，其中，所述驱动晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度和接收所述扫描信号的所述至少一个开关晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度之间的偏差小于或等于10
°
。5.如权利要求3所述的电致发光显示设备，其中，所述驱动晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度和接收所述发光信号的所述至少一个开关晶体管的沟道区的边缘的倾斜角度之间的偏差小于或等于10
°
。6.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金重铁，权峻瑩，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：