一种微发光二极管巨量转移装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种微发光二极管巨量转移装置。包括：柔性基板；以及设置在所述柔性基板一侧表面的镂空结构；其中，所述镂空结构用于吸附所述微发光二极管。在本申请中，微发光二极管巨量转移装置可用于将临时基板上的微发光二极管转移至目标基板，具体的，首先将镂空结构与临时基板上的微发光二极管对齐，通过按压柔性基板排出镂空结构内的空气从而吸附微发光二极管，实现微发光二极管从临时基板到镂空结构的转移；然后将吸附有微发光二极管的镂空结构移动至目标基板，使得微发光二极管与目标基板相键合；最后再施加外力使得柔性基板弯曲，从而空气进入镂空结构完成柔性基板与微发光二极管的分离，从而将微发光二极管转移到目标基板。目标基板。目标基板。

A micro led mass transfer device

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管巨量转移装置


[0001]本技术涉及发光器件
，尤其涉及一种微发光二极管巨量转移装置。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(微型发光二极管芯片)是将现有LED结构设计薄膜化、微小化与阵列化，尺寸仅约1～100μm等级。Micro
‑
LED目前在寿命、对比度、能耗、反应时间与可视角等指标方面均胜过LCD和OLED。因此Micro
‑
LED被认为是下一代的显示技术。
[0003]目前Micro
‑
LED巨量转移大多使用平面式转移装置，利用平面式转移装置的黏性来拾取Micro
‑
LED。然而随着使用次数的增加，平面式转移装置的黏性会逐渐降低，与Micro
‑
LED的结合力也会越来越小，影响Micro
‑
LED转移良率的同时利用率也低。
[0004]因此，如何提高平面式转移装置的转移良率和利用率是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种一种微发光二极管巨量转移装置，旨在解决现有技术中转移装置的转移良率和利用率低的技术问题。
[0006]本技术的技术方案如下：
[0007]一种微发光二极管巨量转移装置，包括：柔性基板；所述柔性基板包括柔性基底，以及设置在所述柔性基底一侧的柔性凸起部；
[0008]镂空结构，所述镂空结构设置在所述柔性凸起部背离所述柔性基底的一侧表面；/>[0009]其中，所述镂空结构包括多个阵列排布的凹槽，用于吸附所述微发光二极管。
[0010]在本申请中，微发光二极管巨量转移装置可用于将临时基板上的微发光二极管转移至目标基板，具体的，首先将镂空结构与临时基板上的微发光二极管对齐，通过按压柔性基板，使空气从镂空结构排除，此时微发光二极管与镂空结构的接触面压力比环境压力低，从而微发光二极管在压力差和范德华力的共同作用下被牢固的吸附在镂空结构上，实现微发光二极管从临时基板到镂空结构的转移；然后将吸附有微发光二极管的镂空结构移动至目标基板，使得微发光二极管与目标基板相键合；最后再施加外力使得柔性基板弯曲，从而空气进入镂空结构完成柔性基板与微发光二极管的分离，从而将微发光二极管转移到目标基板。由于本申请在柔性基板下设置了镂空结构，利用镂空结构形成的压力差来拾取微发光二极管，其结合力稳定，可重复利用率高，避免了现有技术中转移装置的转移良率和利用率低的技术问题；且柔性基板良好的弯曲变形能力，使得微发光二极管与目标基板键合后，便于镂空结构与微发光二极管的分离。另外，由于镂空结构包括多个阵列排布的凹槽，使得其在完成微发光二极管的转移过程中，无需将镂空结构刻意对准微发光二极管，大大降低了微发光二极管的转移难度。
[0011]可选的，所述柔性基底和所述柔性凸起部一体成型设置。
[0012]可选的，所述柔性基底的长度大于所述柔性凸起部的长度。
[0013]可选的，所述柔性凸起部包括：多个间隔设置的柔性凸起单元，每个所述柔性凸起
单元背离所述柔性基底的一侧表面均设置有所述镂空结构。
[0014]可选的，相邻两个所述柔性凸起单元之间的间距小于或等于相邻两个所述微发光二极管之间的间距。
[0015]由于相邻两个所述柔性凸起单元之间的间距小于或等于相邻两个所述微发光二极管之间的间距，即每个待转移的微发光二极管均可被对应的凸起单元完全覆盖，确保了微发光二极管和凸起单元的接触面积，从而增大镂空结构与微发光二极管的吸附力。
[0016]可选的，所述柔性凸起单元为长方体柔性凸起单元、圆柱体柔性凸起单元或椭圆柱体柔性凸起单元中的一种。
[0017]可选的，所述凹槽为倒梯形凹槽。
[0018]由于倒梯形桩的凹槽其开口更大，即阵列排布的倒梯形凹槽在柔性基板受到外力的按压下，更有利于镂空结构内部空气的排出，从而增大镂空结构与微发光二极管的吸附力，确保微发光二极管从临时基板转移到镂空结构的转移良率。
[0019]可选的，所述柔性基板为聚合物树脂柔性基板。
[0020]由于聚合物树脂具有良好的热塑性，因此，其具有更好的弯曲变形能力和恢复能力，使得微发光二极管与目标基板键合后，更有利于镂空结构与微发光二极管的分离，且增加了微发光二极管巨量转移装置的重复利用率。
附图说明
[0021]图1为本技术实施例微发光二极管巨量转移装置的第一结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例微发光二极管从临时基板转移到微发光二极管巨量转移装置时的第一结构示意图；
[0023]图3为本技术实施例微发光二极管从微发光二极管巨量转移装置转移到目标基板时的第一结构示意图；
[0024]图4为本技术实施例微发光二极管巨量转移装置的第二结构示意图；
[0025]图5为本技术实施例微发光二极管从临时基板转移到微发光二极管巨量转移装置时的第二结构示意图；
[0026]图6为本技术实施例微发光二极管从微发光二极管巨量转移装置转移到目标基板时的第二结构示意图。
[0027]附图标记说明：
[0028]10
‑
微发光二极管；100
‑
转移装置；110
‑
柔性基板；111
‑
柔性基底；112
‑
柔性凸起部；113
‑
柔性凸起单元；120
‑
镂空结构；200
‑
临时基板；300
‑
目标基板。
具体实施方式
[0029]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0030]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具
体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
[0031]目前，目前Micro
‑
LED巨量转移大多使用平面式转移装置，利用平面式转移装置的黏性来拾取Micro
‑
LED。然而随着使用次数的增加，平面式转移装置的黏性会逐渐降低，与Micro
‑
LED的结合力也会越来越小，影响转移良率的同时利用率也低。
[0032]基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
[0033]下面结合附图1
‑
6，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的微发光二极管巨量转移装置进行详细地说明。
[0034]本申请实施例提供了一种微发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管巨量转移装置，其特征在于，包括：柔性基板；所述柔性基板包括柔性基底，以及设置在所述柔性基底一侧的柔性凸起部；镂空结构，所述镂空结构设置在所述柔性凸起部背离所述柔性基底的一侧表面；其中，所述镂空结构包括多个阵列排布的凹槽，用于吸附所述微发光二极管。2.根据权利要求1所述的微发光二极管巨量转移装置，其特征在于，所述柔性基底和所述柔性凸起部一体成型设置。3.根据权利要求1所述的微发光二极管巨量转移装置，其特征在于，所述柔性基底的长度大于所述柔性凸起部的长度。4.根据权利要求1所述的微发光二极管巨量转移装置，其特征在于，所述柔性凸起部包括：多个间隔设置的柔性凸起单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王付雄，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：