聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板制造技术

一种具有非热塑性聚酰亚胺层的聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板，构成非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺优选为相对于四羧酸残基的100摩尔份而合计包含80摩尔份以上的由3,3',4,4'

【技术实现步骤摘要】
聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板
[0001]本专利技术是2017年09月11日所提出的申请号为201780059180.2、专利技术名称为《聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板》的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请主张基于2016年9月29日提出申请的日本专利申请2016
‑
191786号、2016年9月29日提出申请的日本专利申请2016
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191787号、2016年12月28日提出申请的日本专利申请2016
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256927号及2016年12月28日提出申请的日本专利申请2016
‑
256928号的优先权，且将所述申请的全部内容引用至本申请中。


[0004]本专利技术涉及一种聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板。

技术介绍

[0005]近年来，伴随着电子设备的小型化、轻量化、省空间化的进展，对于薄且轻量、具有可挠性并且即便反复弯曲也具有优异的耐久性的挠性印刷配线板(挠性印刷电路板(Flexible Print本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺膜，其在包含非热塑性聚酰亚胺的非热塑性聚酰亚胺层的至少一面具有包含热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺膜的特征在于满足下述条件(a
‑
i)～条件(a
‑
iv)：(a
‑
i)包含于构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺的残基为芳香族四羧酸残基及芳香族二胺残基，且相对于所述芳香族四羧酸残基的100摩尔份，由3,3',4,4'
‑
联苯四羧酸二酐(BPDA)所衍生的四羧酸残基(BPDA残基)及由1,4
‑
亚苯基双(偏苯三甲酸单酯)二酐(TAHQ)所衍生的四羧酸残基(TAHQ残基)中的至少一种以及由均苯四甲酸二酐(PMDA)所衍生的四羧酸残基(PMDA残基)及2,3,6,7
‑
萘四羧酸二酐(NTCDA)所衍生的四羧酸残基(NTCDA残基)中的至少一种的合计为80摩尔份以上，所述BPDA残基及所述TAHQ残基中的至少一种、与所述PMDA残基及所述NTCDA残基中的至少一种的摩尔比{(BPDA残基+TAHQ残基)/(PMDA残基+NTCDA残基)}处于0.6～1.3的范围内；(a
‑
ii)构成所述热塑性聚酰亚胺层的热塑性聚酰亚胺为芳香族四羧酸残基及芳香族二胺残基，且相对于所述芳香族二胺残基的100摩尔份，由选自下述通式(B1)～通式(B7)表示的二胺化合物中的至少一种二胺化合物所衍生的二胺残基为70摩尔份以上，且由下述通式(A1)表示的二胺化合物所衍生的二胺残基为1摩尔份以上且30摩尔份以下的范围内；(a
‑
iii)热膨胀系数为10ppm/K～30ppm/K的范围内；(a
‑
iv)10GHz下的介电正切(Df)为0.004以下，
式(B1)～式(B7)中，R1独立地表示碳数1～6的一价烃基或烷氧基，连结基A独立地表示选自
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
CO
‑
、
‑
SO
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
COO
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
NH
‑
或
‑
CONH
‑
中的二价基，n1独立地表示0～4的整数；其中，自式(B3)中去除与式(B2)重复者，自式(B5)中去除与式(B4)重复者，式(A1)中，连结基X表示单键或
‑
COO
‑
，Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或烷氧基，n表示0～2的整数，p及q独立地表示0～4的整数。2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺中的芳香族二胺残基的100摩尔份，由所述通式(A1)表示的二胺化合物所衍生的二胺残基为80摩尔份以上。3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其中相对于构成所述热塑性聚酰亚胺层的热塑性聚酰亚胺中的所述芳香族二胺残基的100摩尔份，由选自所述通式(B1)～通式(B7)表示的二胺化合物中的至少一种二胺化合物所衍生的二胺残基为70摩尔份以上且99摩尔份以下的范围内。4.一种聚酰亚胺膜，其在包含非热塑性聚酰亚胺的非热塑性聚酰亚胺层的至少一面具有包含热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺膜的特征在于满足下述条件(b
‑
i)～条件(b
‑
iv)：
(b
‑
i)热膨胀系数为10ppm/K～30ppm/K的范围内；(b
‑
ii)包含于构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺的残基为芳香族四羧酸残基及芳香族二胺残基，且相对于所述芳香族四羧酸残基的100摩尔份，由选自3,3',4,4'
‑
联苯四羧酸二酐(BPDA)及1,4
‑
亚苯基双(偏苯三甲酸单酯)二酐(TAHQ)中的至少一种四羧酸二酐所衍生的四羧酸残基为30摩尔份以上且60摩尔份以下的范围内，由均苯四甲酸二酐(PMDA)所衍生的四羧酸残基为40摩尔份以上且70摩尔份以下的范围内；(b
‑
iii)相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺中的芳香族二胺残基的100摩尔份，由下述通式(A1)表示的二胺化合物所衍生的二胺残基为80摩尔份以上；(b
‑
iv)构成所述热塑性聚酰亚胺层的热塑性聚酰亚胺为包含芳香族四羧酸残基及芳香族二胺残基者，且相对于所述芳香族二胺残基的100摩尔份，由选自下述通式(B1)～通式(B7)表示的二胺化合物中的至少一种二胺化合物所衍生的二胺残基为70摩尔份以上且99摩尔份以下的范围内，由下述通式(A1)表示的二胺化合物所衍生的二胺残基为1摩尔份以上且30...

【专利技术属性】
技术研发人员：安藤智典，西山哲平，须藤芳树，森亮，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：