【技术实现步骤摘要】
一种高温硅片间接控温装置
[0001]本技术属于半导体领域，涉及一种高温硅片间接控温装置。
技术介绍
[0002]控制好硅片的温度，是硅片制造工艺最重要步骤之一，现有技术对高温真空环境下硅片温度测量是一个难点，由于高温真空环境下，硅片生产中，涉及到有毒、有害气体，需对热电偶进行保护，保护热电偶无形中增加了成本，降低了温度响应速度，R型热电偶无法伸到硅片内部，只能测量出其周边局部温度，间接估计硅片温度，实际生产中无法真实反馈出硅片实际温度，温度响应慢，温度响应时间长，控温时，极易过冲，控温难度大，且安装，程序控制复杂，本技术有效地解决了这种问题。
技术实现思路
[0003]本技术为了克服现有技术的不足，提供一种高温硅片间接控温装置。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种高温硅片间接控温装置,其特征在于：包括至少一组调试热电偶和热电偶，调试热电偶用于检测硅片的温度值，热电偶用于检测石英管以及电炉丝组件所在区域的温度值，调试热电偶检测的温度值与热电偶检测的温度值的差值设置为热电偶的温度
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高温硅片间接控温装置,其特征在于：包括至少一组调试热电偶和热电偶，调试热电偶用于检测硅片的温度值，热电偶用于检测石英管以及电炉丝组件所在区域的温度值，调试热电偶检测的温度值与热电偶检测的温度值的差值设置为热电偶的温度偏差补偿值。2.根据权利要求1所述的一种高温硅片间接控温装置，其特征在于：所述石英管安装在炉体的炉膛内，炉膛内有保温材料和电炉丝组件，石英管内设置有反应腔室，硅片位于反应腔室内，石英管的一端设置有炉门，炉门将反应腔室形成密闭的高温真空空间。3.根据权利要求1所述的一种高温硅片间接控温装置，其特征在于：所述电炉丝组件由若干单独控制的电炉丝构成，若干电炉丝沿石英管的长度方向分布，使位于石英管长度方向不同硅片组的硅片温度同步达到工艺温度，或/和若干电炉丝沿石英管的圆周方向分布，使位于同一硅片组不同位置的硅片温度同步达到相同的温度值或工艺温度值。4.根据权利要求2所述的一种高温硅片间接控温装置，其特征在于：若干所述硅片以叠放安装形成硅片组，若干硅片组沿石英管长度方向依次间隔分布，一组硅片组由若干硅片在石英管的径向层叠而成。5.根据权利要求4所述的一种高温硅片间接控温装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：林佳继，郭永胜，姜毅，庞爱锁，朱太荣，
申请(专利权)人：拉普拉斯无锡半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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