制造表面声波器件的方法技术

一种用于制造表面声波（ＳＡＷ）器件的方法，其中以倒装芯片的方式将表面声波芯片安装在安装基板上，并且通过使用树脂密封该ＳＡＷ芯片的外表面，来在该安装基板的上表面和该ＳＡＷ芯片的下表面之间形成气密空间，该方法包括以下步骤：　　　　使用导电凸点以倒装芯片的方式安装设置在所述ＳＡＷ芯片的下表面上的电极焊盘和设置在所述安装基板上的连接焊盘；　　　　在安装在所述安装基板上的所述ＳＡＷ芯片的上表面上设置树脂片；　　　　层压步骤，用于将周围环境设置为减压或真空环境，并且通过在加热所述树脂片的同时对所述树脂片加压，来使用树脂覆盖所述ＳＡＷ芯片的外表面，同时确保所述气密空间；　　　　压制成形步骤，用于通过保持所述层压步骤中的加压和加热状态来对所述树脂进行固化，同时保持所述气密空间；以及　　　　后固化步骤，用于以使得所述树脂完全固化的温度和时间来进行加热，其中　　　　在所述层压步骤中，所述树脂片的厚度ｔｒ满足以下方程　　　　Ｌ／｛（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）｝≤ｔｒ，其中　　　　Ｌ＝（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）（Ｈ＋Ｔ＋Ａ）－ＸＹＴ－ＸＹＡ－｛ＸＶｙＡ＋ＹＶｘＡ＋（４ＶｘＶｙＡ）／３｝，　　　　其中，Ｌ表示密封一个ＳＡＷ芯片的外表面所需的树脂片的体积，Ｘ表示ＳＡＷ芯片一个边长，Ｙ表示ＳＡＷ芯片另一边长，Ｇｘ表示在Ｘ方向上彼此相邻的ＳＡＷ芯片之间的间隔，Ｖｘ表示从在Ｙ方向上延伸的切割边缘到与其最接近的ＳＡＷ芯片的侧面的距离，Ｇｙ表示在Ｙ方向上彼此相邻的ＳＡＷ芯片之间的间隔，Ｖｙ表示从在Ｘ方向上延伸的切割边缘到与其最接近的ＳＡＷ芯片的侧面的距离，Ｈ表示在使用树脂片覆盖一个ＳＡＷ芯片的外表面之后设置在ＳＡＷ芯片的上表面上的树脂的厚度，Ｔ表示压电基板的厚度，而Ａ表示从安装基板的上表面到所述压电基板的底面的间隔。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及表面声波器件，更具体地，涉及一种具有减小的封装尺寸的表面声波器件，以及制造该器件的方法。
技术介绍
近年来，表面声波(在下文中称为“SAW”)器件在移动通信领域中得到了广泛的应用，并且特别是由于其出色的特性(例如高性能、小尺寸、以及大规模生产能力)，而经常将其用于便携式电话等。随着半导体元件中被称作CSP(芯片尺寸封装)的小型封装的推广，根据SAW器件的分批式制造方法，考虑到便于减小器件尺寸和提高生产率，而引入了一种利用CSP技术的树脂密封方法。作为利用CSP技术的SAW器件，有在JP-A No.2002-184884、JP-ANo.2002-217219、JP-A No.2002-217220以及JP-A No.2002-314234中公开的结构(在下文中，这些结构被称作传统技术1)。图10表示在传统技术1中公开的CSP型SAW器件的结构。图10所示的SAW器件包括SAW芯片103，其具有用于使SAW产生振荡的IDT和设置在位于图10下方的压电基板的主表面103a上的电极焊盘；以及安装基板101，其具有设置在位于图10上方的主表面101a上的连接焊盘102。设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：安斋达也，小川祐史，小野泽康秀，
申请(专利权)人：东洋通信机株式会社，
类型：发明
国别省市：