一种半导体器件和半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域，该半导体器件包括衬底、成核层、第一缓冲层、第二缓冲层、器件层、源极、漏极、栅极以及背金层，源极与第二缓冲层接触，第二缓冲层为n型掺杂层，并具备导电特性，背孔贯通至成核层并与第二缓冲层相对应，背金层通过第二缓冲层与源极电学连接。避免了对缓冲层的刻蚀，提供了一种新型的背孔工艺和结构，其在进行背孔工艺时无需刻蚀缓冲层，从而无需考虑势垒层被完全刻蚀而导致欧姆接触失效及源极金属被刻蚀的问题，且无需降低刻蚀速度，降低成本的同时提升了产能，同时第二缓冲层采用n型掺杂，使得源极的接触电阻较小，能够实现源极和背金层之间良好的电学连接。连接。连接。

Semiconductor device and preparation method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件和半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体而言，涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]氮化镓具有宽禁带半导体材料的高击穿电场，高电子饱和漂移速度，同时因为AlGaN/GaN非常强的自发以及压电极化效应可在异质界面形成很深的三角量子阱，并感应出高达1013cm
‑2量级的2维电子气(2DEG)，使其在高功率射频电子器件里与GaAs，InP等其他化合物半导体相比具有很大的优势。
[0003]对于以氮化镓为首的射频功率器件来说，当使用频率升高之后，源极电感成为决定器件增益，电位平衡的相关参数。通过降低源极电感来改善增益和电位平衡，近年来在使用通过背孔金属来实现源极金属接地结构的基础上，SiC衬底也越来越薄，现在已经下降到50um左右。
[0004]经专利技术人调研发现，现有技术中，源极金属通过背孔连接来实现接地，而背孔工艺需要先刻蚀掉从SiC衬底到AlGaN势垒层来形成源极背孔，然后通过电镀金属来实现背孔金属和源极金属的连接。然而，为了实现源极欧姆工艺需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底一侧的成核层；设置在所述成核层上的第一缓冲层；嵌设于所述第一缓冲层，并与所述成核层接触的第二缓冲层；至少设置在所述第一缓冲层上的器件层；设置在所述器件层上的源极、漏极和栅极；以及，设置在所述衬底另一侧的背金层；其中，所述源极与所述第二缓冲层接触，所述第二缓冲层为n型掺杂层，并具备导电特性，所述衬底的另一侧设置有背孔，所述背孔贯穿至所述成核层，并与所述第二缓冲层相对应，所述背金层延伸至所述背孔内，并与所述第二缓冲层电学连接，以使所述背金层通过所述第二缓冲层与所述源极电学连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二缓冲层的极化方向与所述第一缓冲层的极化方向相反，且所述第二缓冲层的氮极性面与所述源极接触。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述成核层位于所述第二缓冲层与所述衬底之间的部分的厚度小于或等于所述成核层位于第一缓冲层与所述衬底之间的部分的厚度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件层部分覆盖所述第二缓冲层，以使所述第二缓冲层与所述器件层接触。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述器件层覆盖在所述第二缓冲层上的部分的宽度小于或等于5微米。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱雷，许建华，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：