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本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域，该半导体器件包括衬底、成核层、第一缓冲层、第二缓冲层、器件层、源极、漏极、栅极以及背金层，源极与第二缓冲层接触，第二缓冲层为n型掺杂层，并具备导电特性，背孔贯通至成核...
该专利属于深圳市时代速信科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市时代速信科技有限公司授权不得商用。

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