RF功率放大器电路制造技术

一种ＲＦ功率放大器电路具有至少一个输出功率晶体管和保护电路，该保护电路保护功率晶体管不受导致功率晶体管破坏性损坏的高电压的影响。所述电路包括：功率晶体管（２）；偏置电路（６），其偏置功率晶体管（２）；峰值检测器（８），其检测功率晶体管的输出电压；以及比较器电路（１２），其被连接于峰值检测器（８）并被设计成当受控于峰值检测器（８）时减小功率晶体管（２）的基极电流。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＲＦ功率放大器电路，其具有至少一个输出功率晶体管和保护电路，该保护电路保护功率晶体管不受导致功率晶体管破坏性损坏的高电压的影响，所述电路包括：偏置电路（６），其偏置功率晶体管（２）；峰值检测器（８），其检测功率晶体管的输 出电压；以及比较器电路（１２），其被连接于峰值检测器（８）并被设计成当受控于峰值检测器时减小功率晶体管（２）的基极电流。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：DP普里克霍德科，AGWP范祖伦，N克拉梅，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]