一种扩散连接制备阳极基体的方法技术

本发明专利技术提供一种扩散连接制备阳极基体的方法，本发明专利技术首先根据阳极基体的形状要求，设计并加工得到阳极基体的基础组件，然后再经焊接/包套成形、热等静压扩散连接处理、机械加工、高温排气处理得到阳极基体成品。本发明专利技术的制备方法生产效率高，制备得到的阳极基体具有高温强度高、动平衡精度高等优点。动平衡精度高等优点。动平衡精度高等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种扩散连接制备阳极基体的方法


[0001]本专利技术属于X射线管用阳极靶材制备
，尤其涉及一种扩散连接制备阳极基体的方法。

技术介绍

[0002]阳极靶材是X射线管中至关重要的部件，其性能的好坏往往会直接影响X射线管的发射强度及使用寿命。阳极靶材要求其在高温使用条件下具有耐电子轰击、高的X射线发射剂量和热量迅速散失的特性，因此，现有技术中通常采用高原子序数、高熔点、高密度的钨作为阳极靶材的靶面材料，通过在钨中添加少量的铼进而提高靶面材料的耐电子轰击能力、有效降低剂量衰减速度、提高使用寿命；以及采用热容量大、比重比钨小的钼合金作为阳极靶材的基体材料进而提高阳极靶材的输出功率以及加快热量散失，从而进一步提高阳极靶材的使用寿命。
[0003]目前，对于X射线管用阳极靶材的制备根据文献《国外X射线管用旋转阳极靶概况》(《稀有金属与硬质合金》1987年Z1期)，其工艺主要有以下三种：一种为粉末冶金法，即在金属模具中按照所设计靶材的形状与要求，分层填装各种粉末，然后采用一定的工艺压制，进而烧结成型；这种方法虽然工艺简单，但烧结密度较低。第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扩散连接制备阳极基体的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、首先根据阳极基体的形状要求，设计并加工得到阳极基体的基础组件，所述基础组件包括从上到下依次叠放的钨合金靶面坯件、钼合金基体坯件；步骤二、将所述钨合金靶面坯件与钼合金基体坯件的外圈边缘连接处进行焊接处理得到成型组件；或者将所述基础组件放入到包套中，然后将包套进行真空脱气处理，再将包套抽气口进行封焊处理得到包套成型件；步骤三、将所述成型组件或者包套成型件进行热等静压扩散连接处理；步骤四、将热等静压扩散连接处理后的成型组件或者将热等静压扩散连接处理后的包套成型件去除包套后按照阳极基体的形状要求，进行机械加工处理得到机加工后阳极基体；步骤五、将机加工后阳极基体先进行清洗再进行高温排气处理，得到阳极基体成品。2.根据权利要求1所述的扩散连接制备阳极基体的方法，其特征在于，在步骤一中，所述钨合金靶面坯件采用钨合金为原料经塑性加工和/或机加工、真空热处理制得；优选地，所述钨合金中，铼的质量分数为0
‑
10％，余量为钨；优选地，所述钨合金中，铼的质量分数为0
‑
10％，碳化物的质量分数≤1％，余量为钨，其中碳化物为HfC、TaC、ZrC中的一种或多种；优选地，所述真空热处理的温度为1500
‑
1700℃，保温时间为60
‑
120min，真空度≤5
×
10
‑4Pa。3.根据权利要求1或2所述的扩散连接制备阳极基体的方法，其特征在于，在步骤一中，所述钼合金基体坯件采用钼合金为原料经塑性加工和/或机加工、真空热处理制得；优选地，所述钼合金为Mo
‑
Ti
‑
Zr合金、Mo
‑
Hf
‑
C合金、Mo
‑
La合金中的一种；优选地，在所述Mo
‑
Ti
‑
Zr合金中以质量分数计，Ti：0.40
‑
0.55％，Zr：0.06
‑
0.12％，C：0.01
‑
0.04％，余量为Mo；优选地，在所述Mo
‑
Hf
‑
C合金中以质量分数计，Hf：0.8
‑
1.2％，C：0.05
‑
0.12％，余量为Mo；优选地，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：董帝，王铁军，熊宁，弓艳飞，康聚磊，王寅，
申请(专利权)人：安泰天龙北京钨钼科技有限公司安泰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：