提高晶圆边缘产品良率的方法技术

本发明专利技术提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽，之后在衬底上形成覆盖浅沟槽的第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氧化层；研磨第二氧化层以及其下方的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第一厚度；刻蚀剩余的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第二厚度；在衬底淀积覆盖浅沟槽和第一氧化层的栅极层；在栅极层上形成第三氧化层，研磨第三氧化层至栅极层上方；回刻第三氧化层，利研磨栅极层，使得栅极层的顶端平坦化。本发明专利技术对晶圆边缘缺陷清洁并且晶圆边缘良率得到改善；保留部分氧化物在晶圆上，晶圆薄膜应力降低。晶圆薄膜应力降低。晶圆薄膜应力降低。

【技术实现步骤摘要】
提高晶圆边缘产品良率的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种提高晶圆边缘产品良率的方法。

技术介绍

[0002]CMP(化学机械平坦化)很难控制晶圆边缘抛光速率，尤其是对于FINFET(鳍式场效应管)，在晶圆抛光时边缘的抛光速率比晶圆中心快约10倍。
[0003]晶圆边缘原材料硅会在栅极蚀刻过程中受损，随后的光刻工艺会带来旋涂碳掩膜或光刻胶残留或导致薄膜剥落，进而影响晶圆边缘芯片良率。
[0004]为此，需要一种提高晶圆边缘产品良率的方法，以提高晶圆边缘的最终多晶硅高度，栅极材料将顺利降落在STI(浅沟槽隔离)上，之后栅极的刻蚀不会损坏原材料硅，使整体晶圆边缘缺陷将得到改善，晶圆边缘良率上升。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法，用于解决现有技术中晶圆边缘原材料硅会在栅极蚀刻过程中受损，随后的光刻工艺会带来旋涂碳掩膜或光刻胶残留或导致薄膜剥落，进而影响晶圆边缘芯片良率的问题。
[0006]为实现上述目的及其他本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浅沟槽，之后在所述衬底上形成覆盖所述浅沟槽的第一氧化层；步骤二、在所述第一氧化层上形成第二氧化层；步骤三、研磨所述第二氧化层以及其下方的所述第一氧化层，使得所述衬底边缘的所述第一氧化层的厚度为第一厚度；步骤四、刻蚀剩余的所述第一氧化层，使得所述衬底边缘的所述第一氧化层的厚度为第二厚度；步骤五、在所述衬底淀积覆盖所述浅沟槽和所述第一氧化层的栅极层；步骤六、在所述栅极层上形成第三氧化层，之后研磨所述第三氧化层至所述栅极层上方；步骤七、回刻所述第三氧化层，之后研磨所述栅极层，使得所述栅极层的上表面平坦化。2.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一氧化层的材料为二氧化硅。4.根据权利要求1所述的提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于：步骤二中的所述第二氧化层和步骤六中的所述第三氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：许亮，李孝慈，陈宏璘，龙吟，王恺，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：