一种半导体器件清洗中去除静电的方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种半导体器件清洗中去除静电的方法。本发明专利技术采用溶剂对清洗前的晶圆进行预处理，释放掉晶圆表面的电荷，再利用化学药剂进行常规的清洗，消除了静电的危害，提高了晶圆的良率。提高了晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件清洗中去除静电的方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件的制备领域，尤其涉及一种半导体器件清洗中去除静电的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件的加工工艺是非常复杂的，目前主流65
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28nm的逻辑器件的加工艺步骤多达500步，其中大约有20
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30％是清洗步骤。在半导体器件的加工过程中，随着加工线宽的日益微缩，静电对器件加工工艺的影响越来越大。特别是清洗工艺，在130nm以后，后道清洗转为采用单晶圆旋转清洗方式，在28nm以后，大部分前道工艺也转为采用单晶圆旋转清洗方式。高速旋转的晶圆和喷嘴的液流，导致液流对晶圆表面产生强大的冲击力，可以产生更好的清洗效果。但是高速旋转的晶圆很容易积累静电，大多数的清洗液是强电解质。当清洗液接触晶圆表面时，在静电迅速释放，容易损坏半导体器件。
[0003]在具体的湿法清洗工艺过程中，为了减轻静电的危害，采用较低的转速，但这降低了单晶圆清洗设备的清洗能力。
[0004]目前主流的半导体单晶圆清洗设备厂商，例如泛林半导体的单晶圆清洗机，都安装有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除半导体晶圆清洗过程中所产生的静电的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用预处理剂对晶圆表面进行预处理，所述预处理剂包括NMP(N
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甲基吡咯烷酮、DMSO(二甲基亚砜)、异丙醇、丙酮中的一种或多种；(2)向晶圆上喷洒氨水，除去所述预处理剂；(3)利用清洗液清洗晶圆；(4)清洗清洗液；(5)干燥晶圆表面。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述(1)利用预处理剂对晶圆表面进行预处理的步骤包括：利用单晶圆清洗机上的喷嘴，以100
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500ml/min的流量在晶圆上持续喷洒所述预处理剂5
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20s。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述(2)向晶圆上喷洒氨水的步骤包括：利用单晶圆清洗机上的喷嘴，以500
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2500ml/min的流量，向晶圆上持续喷洒电导率为5
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50us的稀氨水5
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20s。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述(2)向晶圆上喷洒氨水的步骤包括：以100

【专利技术属性】
技术研发人员：王胜利，徐海玉，刘兵，彭洪修，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：