半导体清洗方法技术

本发明专利技术涉及微电子制造领域，公开了一种半导体清洗方法，包括：S1、用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度；S2、将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化；S3、待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，用去离子水对粘在所述紫外线胶带上的所述半导体进行清洗；S4、在清洗完成后，对粘在所述紫外线胶带上的所述半导体进行烘干处理；S5、在烘干完成后，用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第二预设粘度；S6、将所述半导体与所述紫外线胶带分离。采用本发明专利技术实施例，能够有效减少半导体在清洗过程中的二次污染，从而提高半导体的清洗效果。从而提高半导体的清洗效果。从而提高半导体的清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体清洗方法


[0001]本专利技术涉及微电子制造领域，特别是涉及一种半导体清洗方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，半导体的清洗贯穿着整个加工工序。传统的半导体清洗方法是将半导体置放在夹具中，连同夹具一起进行清洗。但是，由于夹具本身容易堆积残渣，往往在清洗的过程中，残渣容易附着在半导体的侧边上，但又由于夹具的阻挡，半导体侧边无法清洗到，因此容易形成二次污染。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体清洗方法，能够有效减少半导体在清洗过程中的二次污染，从而提高半导体的清洗效果。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体清洗方法，包括：
[0005]S1、用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度；
[0006]S2、将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化；
[0007]S3、待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，用去离子水对粘在所述紫外线胶带上的所述半导体进行清洗；
[0008本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗方法，其特征在于，包括：S1、用紫外光照射紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第一预设粘度；S2、将半导体粘贴在所述紫外线胶带上，并等待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化；S3、待所述紫外线胶带上的紫外线胶固化后，用去离子水对粘在所述紫外线胶带上的所述半导体进行清洗；S4、在清洗完成后，对粘在所述紫外线胶带上的所述半导体进行烘干处理；S5、在烘干完成后，用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第二预设粘度；S6、将所述半导体与所述紫外线胶带分离。2.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述紫外线胶带的初始粘度为22
‑
24N/in，所述紫外线胶带的厚度为20
‑
25μm，照射时长为2秒钟，所述第一预设粘度为17
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18N/in。3.如权利要求2所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：将半导体粘贴在所述紫外线胶带上；用紫外光照射所述紫外线胶带，使得所述紫外线胶带的粘度降低至第三预设粘度；其中，照射时长为70秒；对所述半导体进行按压，使得所述半导体和所述紫外线胶带之...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙命潮，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：