温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽，之后在衬底上形成覆盖浅沟槽的第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氧化层；研磨第二氧化层以及其下方的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第一厚度；刻蚀剩余的第一氧化...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。