【技术实现步骤摘要】
具有缓解模具材料的进入的流量控制器的半导体组合件
[0001]本技术涉及半导体制造。更特定来说，本技术的一些实施例涉及用于在模制过程期间保护邻近半导体裸片垂直堆叠的侧壁的技术。
技术介绍
[0002]经封装半导体裸片，例如存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片，通常包含安装在衬底上并包裹在保护性遮盖物中的半导体裸片。半导体裸片可包含功能特征，例如存储器单元、处理器电路及成像器装置。
[0003]市场压力驱使半导体制造商缩小裸片封装的大小以适应电子装置的空间约束，同时还增加每一封装的功能容量。在不大幅增加由半导体封装所覆盖的表面积(封装的“占据面积(footprint)”)的情况下提高所述封装的处理能力的一种方法是通过在单个封装中将多个半导体裸片垂直堆叠在彼此的顶部上来形成裸片堆叠。裸片堆叠可彼此邻近地形成，其间具有空间。一或多个层可在邻近裸片堆叠的顶部上方延伸，从而在裸片堆叠之间形成开口或“隧道”。当应用保护性涂层以密封半导体封装时，模具材料流入并完全填充隧道。用于应用保护性涂层的常规技术可导致模具材料进入隧道内的层之...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：封装衬底，其具有第一及第二表面；第一裸片堆叠，其形成在所述第一表面上；第二裸片堆叠，其邻近于所述第一裸片堆叠形成在所述第一表面上，其中所述第一表面的一部分在所述第一与第二裸片堆叠之间延伸；材料层，其粘附到所述第一及第二裸片堆叠的顶表面，其中所述材料层在所述第一与第二裸片堆叠之间的所述第一表面的所述部分上方延伸一定距离以在所述材料层、所述第一及第二裸片堆叠的相对侧壁及所述封装衬底的所述第一表面之间形成隧道；及流量控制器，其粘附到所述隧道内部的所述第一表面的至少一部分，所述流量控制器减小所述隧道的至少一部分的横截面表面积。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括密封所述第一及第二裸片堆叠的暴露表面、所述流量控制器的暴露表面、所述材料层的暴露表面及所述封装衬底的暴露表面的模具材料。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中关于所述隧道的长度及宽度，所述流量控制器的形状大体为矩形。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述流量控制器具有比第二部分更厚的至少一个部分。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述流量控制器包含至少三个突起，所述突起具有大于至少两个凹槽的第二厚度的厚度，其中所述至少三个突起跨越所述流量控制器的宽度与所述至少两个凹槽交替定位。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述流量控制器大体上延伸所述隧道的长度。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述流量控制器包含：第一及第二凹槽，它们靠近所述第一及第二裸片堆叠的所述侧壁；及至少一个突起，其位于所述第一与第二凹槽之间，其中所述至少一个突起具有大于所述第一及第二凹槽的厚度的第一厚度。8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述流量控制器进一步包含：第一及第二凹槽，它们靠近所述第一及第二裸片堆叠的所述侧壁沿所述流量控制器的长度的至少一部分延伸；第一及第二突起，它们分别靠近所述第一及第二凹槽沿所述流量控制器的所述长度的至少一部分延伸，所述第一及第二突起具有大于所述第一及第二凹槽的厚度的第一及第二厚度；第三突起，其沿所述流量控制器的所述长度的至少一部分延伸并定位在所述第一与第二突起之间，其中所述第三突起具有小于所述第一及第二厚度且大于所述第一及第二凹槽的所述厚度的第三厚度；第三凹槽，其在所述第一与第三突起之间沿所述流量控制器的所述长度的至少一部分延伸；及第四凹槽，其在所述第二与第三突起之间沿所述流量控制器的所述长度的至少一部分延伸，所述第三及第四凹槽具有小于所述第三突起的所述第三厚度的厚度。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述流量控制器具有在所述第一与第二侧壁之间的方向上延伸的宽度，且其中所述流量控制器沿其宽度大体上对称。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述流量控制器经配置以当所述模具材料经应用以密封所述装置时，减小在所述隧道内沿所述第一及第二裸片堆叠的所述侧壁的模具材料的流体压力并增加其流体速度。11.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林律甫，邹永升，颜宗隆，饶力，钟旻华，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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