一种新型可反向导通氮化镓功率器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型可反向导通氮化镓功率器件，包括框架，框架的一端设有若干个门极以及开尔文源极，框架的另一端设有漏极；散热板，散热板设于框架上；氮化镓芯片，氮化镓芯片设于散热板上，其中包括源极打线盘、漏极打线盘以及若干个门极打线盘，源极打线盘与开尔文源极相连，漏极打线盘与漏极相连，门极打线盘与门极相连；二极管，二极管设于散热板上，二极管设有阴极打线盘，阴极打线盘与漏极相连。本实用新型专利技术能够缩短并联器件之间的导线长度，从而减小因为PCB走线带来的寄生电阻和电感，避免影响整个模块的性能。避免影响整个模块的性能。避免影响整个模块的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种新型可反向导通氮化镓功率器件


[0001]本技术涉及功率半导体器件
，具体涉及一种新型反向导通氮化镓功率器件。

技术介绍

[0002]作为第三代半导体材料，氮化镓功率器件具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、抗辐射能力强、化学性质稳定和功率密度高等优点，可以实现更高的开关频率，更高的系统效率和功率密度；相较于硅而言，氮化镓半导体能够承受更强的电流和更高的电压。
[0003]在实际应用中，由于氮化镓芯片反向导通时的损耗较大却没有体二极管来降低损耗，因此需要并联一个二极管，如图3所示，降低氮化镓芯片反向导通时的功率损耗，同时让电流从器件的源极流向漏极。然而现有的技术是通过PCB 板把二极管连接到氮化镓芯片上，这样导致氮化镓芯片和二极管之间存在较长的导线，容易在电路中产生寄生参数，从而影响到整个模块的性能。
[0004]因此，目前亟需一种能够减小电路因导线较长而产生寄生参数的氮化镓功率器件。

技术实现思路

[0005]为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中导线较长引起的寄生参数。r/>[0006]为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型可反向导通氮化镓功率器件，其特征在于，包括：框架，所述框架的一端设有若干个门极以及开尔文源极，所述框架的另一端设有漏极；散热板，所述散热板设于框架上；氮化镓芯片，所述氮化镓芯片设于散热板上，其中包括源极打线盘、漏极打线盘以及若干个门极打线盘，所述源极打线盘与开尔文源极相连，所述漏极打线盘与漏极相连，所述门极打线盘与门极相连；二极管，所述二极管设于散热板上，所述二极管上设有阴极打线盘，所述阴极打线盘与漏极相连；其中，通过将氮化镓芯片、二极管以及散热板封装于框架内，形成氮化镓功率器件。2.根据权利要求1所述的一种新型可反向导通氮化镓功率器件，其特征在于，所述门极打线盘的数量与门极的数量一致，每个门极打线盘与一个门极相连。3.根据权利要求1所述的一种新型可反向导通氮化镓功率器件，其特征在于，所述氮化镓芯片的源极与二极管的阳极通过散热板相连。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅玥，孔令涛，
申请(专利权)人：南京芯干线科技有限公司，
类型：新型
国别省市：