半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制作方法。一种半导体器件包括：衬底，其包括第一NMOS区域和第二NMOS区域；第一晶体管，其包括安置在第一NMOS区域中的第一移位层，以及第二晶体管，其包括安置在第二NMOS区域中的第二移位层，其中，第一移位层和第二移位层中的每一个包括第一偶极诱导物质，并且第二移位层另外包括第二偶极诱导物质。括第二偶极诱导物质。括第二偶极诱导物质。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月28日提交的第10
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2020
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0184851号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用被整体合并于此。


[0003]该专利文件涉及半导体器件及其制作方法，并且更具体地涉及包括高k电介质层的半导体器件及其制作方法。

技术介绍

[0004]最近，随着半导体器件的集成度提高，泄漏电流也通过在半导体器件中采用的晶体管的栅绝缘层有所增加。因此，为了缓和该问题，栅绝缘层可以由高k电介质材料形成。

技术实现思路

[0005]本专利技术的各个实施例涉及半导体器件及其制作方法，其提高在其中采用的高k电介质层的可靠性。
[0006]根据实施例，一种半导体器件包括：衬底，其包括第一NMOS区域和第二NMOS区域；第一晶体管，其包括安置在第一NMOS区域中的第一移位层，以及第二晶体管，其包括安置在第二NMOS区域中的第二移位层，其中，第一移位层和第二移位层中的每一个包括第一偶极诱导物质，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一NMOS区域和第二NMOS区域；第一晶体管，其包括安置在所述第一NMOS区域中的第一移位层；以及第二晶体管，其包括安置在所述第二NMOS区域中的第二移位层，其中，所述第一移位层和所述第二移位层中的每一个包括第一偶极诱导物质，并且所述第二移位层另外包括第二偶极诱导物质。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一偶极诱导物质不同于所述第二偶极诱导物质。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一偶极诱导物质包括N型偶极诱导材料，所述第二偶极诱导物质包括P型偶极诱导材料，其中，所述第一移位层由所述N型偶极诱导材料形成，并且其中，所述第二移位层由所述N型偶极诱导材料和所述P型偶极诱导材料的组合形成。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一偶极诱导物质包括N型偶极诱导材料，以及所述第一移位层包括一层或更多层所述N型偶极诱导材料。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一偶极诱导物质包括N型偶极诱导材料，所述第二偶极诱导物质包括P型偶极诱导材料，以及其中，所述第二移位层包括双层所述N型偶极诱导材料和单层所述P型偶极诱导材料的叠层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管的阈值电压低于所述第二晶体管的阈值电压。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管另外包括：第一界面层，其被置于所述第一移位层和所述衬底之间；第一高k电介质层，其在所述第一界面层之上；以及第一偶极界面，其被置于所述第一界面层和所述第一高k电介质层之间，并且其中，所述第一偶极界面包括从所述第一移位层中扩散而来的所述第一偶极诱导物质。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二晶体管另外包括：第二界面层，其被置于所述第二移位层和所述衬底之间；第二高k电介质层，其在所述第二界面层之上；以及第二偶极界面，其被置于所述第二界面层和所述第二高k电介质层之间，并且其中，所述第二偶极界面包括从所述第二移位层中扩散而来的所述第一偶极诱导物质。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管另外包括置于所述第一移位层和所述衬底之间的第一偶极界面，并且所述第一偶极界面包括从所述第一移位层中扩散而来的所述第一偶极诱导物质，
并且其中，所述第二晶体管另外包括置于所述第二移位层和所述衬底之间的第二偶极界面，并且所述第二偶极界面包括从所述第二移位层中扩散而来的所述第一偶极诱导物质。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，与所述第二偶极界面相比，所述第一偶极界面具有较高浓度的所述第一偶极诱导物质。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一移位层和所述第二移位层中的每一个均包括镧原子。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一移位层包括氧化镧，并且其中，所述第二移位层包括氧化镧和氧化铝的组合。13.一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一PMOS区域和第二PMOS区域；第一晶体管，其包括安置在所述第一PMOS区域中的第一移位层；以及第二晶体管，其包括安置在所述第二PMOS区域中的第二移位层，其中，所述第一移位层包括P型偶极诱导材料，并且所述第二移位层包括P型偶极诱导材料和N型偶极诱导材料的组合。14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第一移位层包括一层或更多层所述P型偶极诱导材料。15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第二移位层包括单层所述N型偶极诱导材料和单层所述P型偶极诱导材料的叠层。16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第二移位层包括多层所述P型偶极诱导材料以及在所述多层P型...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹荣广，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：