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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。一种半导体器件包括：衬底，其包括第一NMOS区域和第二NMOS区域；第一晶体管，其包括安置在第一NMOS区域中的第一移位层，以及第二晶体管，其包括安置在第二NMOS区域中的第二移位层，其中，第一移位层...
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