集成电路器件制造技术

一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上纵长地延伸的鳍型有源区。纳米片在垂直方向上与鳍型有源区的鳍顶表面分开。内绝缘间隔物位于衬底与纳米片之间。栅极线包括主栅极部分和子栅极部分。主栅极部分在纳米片上在第二横向方向上纵长地延伸。子栅极部分一体地连接至主栅极部分，并且位于衬底与纳米片之间。源极/漏极区与内绝缘间隔物和纳米片接触。源极/漏极区包括单晶半导体主体和从内绝缘间隔物穿过单晶半导体主体线性地延伸的至少一个下堆垛层错面。少一个下堆垛层错面。少一个下堆垛层错面。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]通过引用将于2020年12月23日在韩国知识产权局提交的题为“Integrated Circuit Device”(集成电路器件)的韩国专利申请No.10
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2020
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0182425全部结合于本申请中。


[0003]实施例涉及集成电路(IC)器件。

技术介绍

[0004]随着集成电路器件(IC器件)的小型化发展，不仅确保IC器件的高运行速度而且还保证其运行准确度已经变得至关重要。

技术实现思路

[0005]实施例针对一种集成电路器件，其包括：鳍型有源区，所述鳍型有源区在衬底上在第一横向方向上纵长地延伸；纳米片，所述纳米片在垂直方向上设置在与所述鳍型有源区的鳍顶表面分开的位置处，并且面向所述鳍顶表面；内绝缘间隔物，所述内绝缘间隔物位于所述衬底与所述纳米片之间；栅极线，所述栅极线包括主栅极部分和子栅极部分，所述主栅极部分在所述纳米片上在第二横向方向上纵长地延伸，所述子栅极部分一体地连接至所述主栅极部分并且位于所述衬底与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：鳍型有源区，所述鳍型有源区在衬底上在第一横向方向上纵长地延伸；纳米片，所述纳米片在垂直方向上设置在与所述鳍型有源区的鳍顶表面分开的位置处，并且面向所述鳍顶表面；内绝缘间隔物，所述内绝缘间隔物位于所述衬底与所述纳米片之间；栅极线，所述栅极线包括主栅极部分和子栅极部分，所述主栅极部分在所述纳米片上在第二横向方向上纵长地延伸，所述子栅极部分一体地连接至所述主栅极部分并且位于所述衬底与所述纳米片之间，其中，所述第二横向方向与所述第一横向方向相交；以及源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述第一横向方向上面对所述子栅极部分，并且所述内绝缘间隔物位于所述源极/漏极区和所述子栅极部分之间，所述源极/漏极区与所述内绝缘间隔物和所述纳米片接触，所述源极/漏极区包括单晶半导体主体和从所述内绝缘间隔物穿过所述单晶半导体主体朝向所述源极/漏极区的内部线性地延伸的至少一个下堆垛层错面。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述至少一个下堆垛层错面包括在彼此相交的方向上延伸的第一下堆垛层错面和第二下堆垛层错面。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述单晶半导体主体包括掺杂有n型杂质的单晶硅。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述至少一个下堆垛层错面包括第一下堆垛层错面，所述第一下堆垛层错面相对于在所述第一横向方向上的直线具有50
°
至60
°
的角度。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述至少一个下堆垛层错面包括第一下堆垛层错面，所述第一下堆垛层错面相对于在所述垂直方向上的直线具有30
°
至40
°
的角度。6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述至少一个下堆垛层错面平行于所述单晶半导体主体的{111}晶面。7.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括覆盖所述栅极线的侧壁的外绝缘间隔物，所述外绝缘间隔物与所述源极/漏极区接触，其中，所述源极/漏极区还包括从所述外绝缘间隔物向所述源极/漏极区的内部延伸的至少一个上堆垛层错面。8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述至少一个上堆垛层错面包括第一上堆垛层错面，所述第一上堆垛层错面相对于在所述第一横向方向上的直线具有50
°
至60
°
的角度。9.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述至少一个上堆垛层错面包括在彼此相交的方向上延伸的第一上堆垛层错面和第二上堆垛层错面。10.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述至少一个上堆垛层错面平行于所述单晶半导体主体的{111}晶面。11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：所述纳米片和所述衬底均包括硅膜，并且包括在所述纳米片的至少部分区域中的硅晶格的第一晶格常数高于包括在所述衬底
的至少部分区域中的硅晶格的第二晶格常数。12.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：鳍型有源区，所述鳍型有源区在衬底上在第一横向方向上纵长地延伸；源极/漏极区，所述源极/漏极区位于所述鳍型有源区上；第一纳米片堆叠件和第二纳米片堆叠件，所述第一纳米片堆叠件和所述第二纳米片堆叠件位于所述鳍型有源区的鳍顶表面上，所述第一纳米片堆叠件和所述第二纳米片堆叠件在所述第一横向方向上彼此分开并且所述源极/漏极区位于所述第一纳米片堆叠件和所述第二纳米片堆叠件之间，所述第一纳米片堆叠件和所述第二纳米片堆叠件均包括在垂直方向上彼此交叠的多个纳米片；第一栅极线，所述第一栅极线在所述鳍型有源区上围绕所述第一纳米片堆叠件，并且在与所述第一横向方向相交的第二横向方向上纵长地延伸；第二栅极线，所述第二栅极线在所述鳍型有源区上围绕所述第二纳米片堆叠件，并且在所述第二横向方向上纵长地延伸；第一绝缘间隔物，所述第一绝缘间隔物位于所述第一栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑秀珍，金奇奂，张星旭，曹荣大，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：