一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其方法包括：将带有H基或OH基的衬底放入反应腔体；向所述反应腔体内注入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述衬底表面的H基或OH基进行反应，进而在所述衬底表面生成新的配基；向所述反应腔体内注入惰性气体，以吹扫出所述反应腔体内的杂质；向所述反应腔体内注入等离子气体，并重复以上步骤，以在所述衬底表面生成非晶硅薄膜。解决了现有的等离子体化学气相沉积制备出来的薄膜含有针孔的问题，且改善了在高深宽比或复杂表面上的薄膜阶梯覆盖性低的问题。梯覆盖性低的问题。梯覆盖性低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法


[0001]本专利技术涉及薄膜制备领域，特别涉及一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法。

技术介绍

[0002]非晶硅在许多电子器件上有很重要的应用，例如显示器，或是高效率 HIT型太阳电池就是利用非晶硅来钝化硅晶片表面缺陷，薄膜在一个衬底上的高保形型是关键。传统的非晶硅制备方式是通过等离子体化学气相沉积系统(PECVD)，但是所得的薄膜含有针孔，并且在高深宽比或复杂表面上的薄膜阶梯覆盖性有待改善。
[0003]有鉴于此，提出本申请。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开了一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，旨在解决现有的等离子体化学气相沉积制备出来的薄膜含有针孔的问题，且改善了在高深宽比或复杂表面上的薄膜阶梯覆盖性低的问题。
[0005]本专利技术公实施例提供了一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，包括：
[0006]将带有H基或OH基的衬底放入反应腔体；
[0007]向所述反应腔体内注入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述衬底表面的H基或OH基进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其特征在于，包括：将带有H基或OH基的衬底放入反应腔体；向所述反应腔体内注入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述衬底表面的H基或OH基进行反应，进而在所述衬底表面生成新的配基；向所述反应腔体内注入惰性气体，以吹扫出所述反应腔体内的杂质；向所述反应腔体内注入等离子气体，并重复以上步骤，以在所述衬底表面生成非晶硅薄膜。2.根据权利要求1所述的一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述硅源气体为二甲基
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二甲氨硅。3.根据权利要求2所述的一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述衬底的材质为硅。4.根据权利要求3所述的一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述等离子气体为氩氢混合气等离子体。5.根据权利要求4所述的一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其特征在于，所述氩氢混合气等离子体的比例为95％的氩气和5％氢气。6.根据权利要求3所述的一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其特征在于，向放置带有H基的所述衬底的通入二甲基
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二甲氨硅气体时，发生以下化学反应：S
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H+(CH3)2Si[N(CH3)2]2＝S
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Si
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(CH3)2+HN(CH3)2；再通入氩氢混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：连水养，许嘉巡，赵铭杰，
申请(专利权)人：厦门理工学院，
类型：发明
国别省市：