组合物和使用该组合物沉积含硅膜的方法技术

组合物和使用该组合物的方法用于在具有表面特征的衬底的至少表面上形成含硅膜，例如但不限于碳化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。含硅膜使用含有至少一个Si

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物和使用该组合物沉积含硅膜的方法


[0001]本文描述了用于制造电子器件的方法。更具体地，本文描述了用于在沉积工艺，例如但不限于可流动化学气相沉积中形成含硅膜的组合物。可以使用本文所述的组合物和方法沉积的示例性含硅膜包括但不限于碳化硅、氮氧化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮化硅膜。

技术介绍

[0002]美国公开第2013/0217241号公开了含Si
‑
C
‑
N的可流动层的沉积和处理。Si和C可以来自含Si
‑
C的前体，而N可以来自含N的前体。初始的含Si
‑
N
‑
C的可流动层被处理以去除能够实现流动性的组分。这些组分的去除可增加蚀刻耐受性，减少收缩，调节膜张力和电性能。后处理可以是热退火、UV暴露或高密度等离子体。
[0003]美国专利第8889566号公开了一种通过用局部等离子体激发硅前体并用第二等离子体沉积来沉积可流动膜的方法。所述硅前体可以是甲硅烷基胺、较高阶硅烷或卤化硅烷。所述第二反应物气体可以是NH3、N2、H2和/或O2。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在可流动化学气相沉积工艺中沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含表面特征的衬底置于处于
‑
20℃至约200℃范围内的一个或多个温度下的反应器中；向所述反应器中引入具有式R
n
SiH4‑
n
的前体化合物，其中R独立地选自直链或支链C2至C6烷基或C6‑
C
10
芳基，并且n为选自1、2和3的数；以及向所述反应器中提供等离子体源以使所述化合物至少部分地反应而形成可流动的液体或低聚物，其中所述可流动的液体或低聚物至少部分地填充所述表面特征的一部分和形成第一膜。2.如权利要求1所述的方法，其中所述提供步骤中的所述等离子体源包含选自氮等离子体、包含氮和氢的等离子体、包含氮和氦的等离子体、包含氮和氩的等离子体、氨等离子体、包含氨和氦的等离子体、包含氨和氩的等离子体、包含氨和氮的等离子体、有机胺等离子体及其混合物的至少一种等离子体源。3.如权利要求1所述的方法，其中所述提供步骤中的所述等离子体源包含选自碳源等离子体、烃等离子体、包含烃和氦的等离子体、包含烃和氩的等离子体、二氧化碳等离子体、一氧化碳等离子体、包含烃和氢的等离子体、包含烃和氮源的等离子体、包含烃和氧源的等离子体及其混合物的至少一种等离子体源。4.如权利要求1所述的方法，其中所述提供步骤中的所述等离子体源包含选自氢等离子体、氦等离子体、氩等离子体、氙等离子体及其混合物的至少一种等离子体源。5.如权利要求1所述的方法，其中所述提供步骤中的所述等离子体源包含选自水(H2O)等离子体、氧等离子体、臭氧(O3)等离子体、NO等离子体、N2O等离子体、一氧化碳(CO)等...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：