【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法及太阳能电池
[0001]本专利技术涉及光伏发电
,特别涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。
技术介绍
[0002]随着光伏产业的快速发展,国内外光伏市场对太阳能电池的性能与效率要求也在不断提高,业界厂商纷纷着力于高效电池的研究与开发。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化层钝化接触)电池通过在电池表面依次制备超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层,能够提高电池表面钝化性能,降低金属接触复合电流,有效提升电池的开路电压与短路电流。
[0003]上述TOPCon电池制备过程中,通常先在对硅片背面进行清洗,再于所述硅片的背面氧化生成一层极薄的氧化硅层;然后,在上述氧化硅层表面沉积制备一层非晶硅/微晶硅/多晶硅,并在后续磷扩散过程中退火形成掺杂多晶硅层,激活钝化性能。上述掺杂多晶硅层内部应力较大,可能导致硅片变形,进行磷扩散时易出现局部扩散不均,影响电池片的接触与钝化性能;还会导致后续自动化制程中的碎片率升高,成本增加。业内也公开有采用原位掺杂方法直接 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:在硅基底的表面制备隧穿层;在隧穿层表面制备依次交替的混合相硅膜层与多晶硅膜层;热处理,得到位于所述隧穿层表面的掺杂多晶硅层。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述混合相硅膜层的制备温度为570~550℃;所述多晶硅膜层的制备温度设置为600~630℃。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述混合相硅膜层与多晶硅膜层采用LPCVD方法沉积制得,反应气体为硅烷;所述混合相硅膜层与多晶硅膜层两者均为本征硅膜层,所述本征硅膜层的沉积过程中,硅烷流量设置为100~500sccm,反应压力200~350mTorr;所述热处理是指对所述硅基底进行高温扩散,使得所述混合相硅膜层、多晶硅膜层转变形成掺杂多晶硅层。4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述混合相硅膜层与多晶硅膜层采用LPCVD方法进行原位掺杂沉积制得,反应气体包括硅烷与磷烷;所述混合相硅膜层与多晶硅膜层两者均为磷掺杂硅膜层,所述磷掺杂硅膜层的沉积过程中,硅烷流量设置为100~500sccm,磷烷流量设置为10~50sccm,反应压力200~350mTorr;所述热处理是指对所述硅基底进行退火。5.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于:所述混合相硅膜层与多晶硅膜层在同一反应室进行沉积得到,所述“在隧穿层表面制备依次交替的混合相硅膜层与多晶硅膜层”包括先在所述隧穿层表面沉积一层混合相硅膜层;排除反应室内留存的反应气体,充入氮气,升高反应室温度;在所述混合相硅膜层表面沉积一层多晶硅膜层;排除反应室内留存的反应气体,充入氮气,降低反应室温度;在所述多晶硅膜层表面沉积另一层混合相硅膜层。6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈雯,张临安,邓伟伟,
申请(专利权)人:阿特斯阳光电力集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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