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本发明提供了一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其方法包括：将带有H基或OH基的衬底放入反应腔体；向所述反应腔体内注入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述衬底表面的H基或OH基进行反应，进而在所述衬底表面生成新的配基；向所述反应腔体内注入...
该专利属于厦门理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过厦门理工学院授权不得商用。

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