一种基于MOS管的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于MOS管的驱动电路，涉及功率管驱动电路技术领域，包括：稳压供电模块，用于提供稳压；控制信号输入模块，用于提供控制指令；逻辑控制模块，用于输出控制信号；开关控制模块，用于调节输出的电压电位并输出驱动信号；驱动模块，用于提高驱动信号的驱动能力；串联MOS管模块，采用串联型MOS管；过流保护模块，用于检测电流信号并控制所述逻辑控制模块。本实用新型专利技术基于MOS管的驱动电路通过开关控制模块提供驱动信号，并通过开关控制模块将驱动信号的电位进行平移，有助于改善驱动电路，控制信号输入模块实现低电压控制大电压，串联MOS管模块的工作效率高，还采用过流保护模块对串联MOS管模块进行保护。护模块对串联MOS管模块进行保护。护模块对串联MOS管模块进行保护。

A driving circuit based on MOS transistor

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS管的驱动电路


[0001]本技术涉及功率管驱动电路
，具体是一种基于MOS管的驱动电路。

技术介绍

[0002]MOS管，原名MOSFET晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)，作为一种多功能的电压型驱动器件，在电力电子领域内有着广泛的应用，一般采用电源IC芯片等对MOS管器件进行驱动及控制，并且目前市面上的MOS管驱动大都采用单个MOS管驱动，MOS管的通态损耗较高，且开关速度较缓慢，传统的驱动电路已很难，满足需求，并且为了使基于MOS管的驱动电路能够在正常情况下运行，相关的保护电路是必不可少的，保护电路能够有效避免MOS管出现损坏，保护驱动的正常进行。

技术实现思路

[0003]本技术实施例提供一种基于MOS管的驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]依据本技术实施例中，提供一种基于MOS管的驱动电路，该基于MOS管的驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS管的驱动电路，其特征在于，该基于MOS管的驱动电路包括：稳压供电模块，控制信号输入模块，逻辑控制模块，开关控制模块，驱动模块，串联MOS管模块，过流保护模块；所述稳压供电模块，用于提供MOS管的驱动电路所需的直流稳压；所述控制信号输入模块，用于提供控制指令；所述逻辑控制模块，与所述控制信号输入模块连接，用于通过逻辑运算处理输入的信号并输出控制信号；所述开关控制模块，与所述稳压供电模块连接，与所述稳压供电模块连接，用于接收直流稳压，与所述逻辑控制模块连接，用于接收所述控制信号并调节输出的电压电位，用于输出驱动信号；所述驱动模块，与所述开关控制模块连接，用于接收所述驱动信号并提高驱动信号的驱动能力；所述串联MOS管模块，与所述驱动模块连接，用于接收所述驱动信号并驱动串联型MOS管工作，用于调节串联型MOS管的工作效率；所述过流保护模块，与所述串联MOS管模块连接，用于检测所述串联MOS管模块的电流情况，与所述逻辑控制模块连接，用于将检测的电流信号传输给所述逻辑控制模块。2.根据权利要求1所述的一种基于MOS管的驱动电路，其特征在于，所述稳压供电模块包括直流电源、第一电容、稳压器、第二电容；所述直流电源的第一端连接稳压器的输入端和第一电容的一端，稳压器的输出端连接第二电容的一端，直流电源的另一端、第一电容的另一端、稳压器的接地端和第二电容的另一端均接地。3.根据权利要求2所述的一种基于MOS管的驱动电路，其特征在于，所述逻辑控制模块包括逻辑芯片、第一电阻、第一开关管、第三电容、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻；所述逻辑芯片的第一输入端连接所述过流保护模块的输出端，逻辑芯片的第二输入端连接所述控制信号输入模块，逻辑芯片的输出端通过第一电阻连接第一开关管的基极，第一开关管的发射极连接第三电容的一端和第三电阻的一端，第三电容的另一端通过第二电阻连接地端和第三电阻的另一端，第一开关管的集电极通过第四电阻连接第五电阻的第一端，第五电阻的第二端连接所述稳压器的输出端。4.根据权利要求3所述的一种基于MOS管的驱动电路，其特征在于，所述开关控制模块包括第四电容、第二开关管、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一稳压...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈应雁，
申请(专利权)人：深圳市赛元微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：