环形振荡电路及延迟电路制造技术

技术编号:3399556 阅读:196 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的课题是减小频率可调式环形振荡电路的振荡频率及可调延迟电路的延迟时间对电源电压的依赖性。该环形振荡电路,将K个倒相电路U11、U12、…、U1K按环形连接。倒相电路U11,备有由MOS晶体管MP4和MN4构成的CMOS倒相器IV1、起着CMOS倒相器IV1的电流源作用的P沟道MOS晶体管MP3、起着CMOS倒相器IV1的电流源作用的N沟道MOS晶体管MN3、与CMOS倒相器IV1并联连接并由MOS晶体管MP5和MN5构成的CMOS倒相器IV2。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及频率可调式环形振荡电路等环形振荡电路及可调延迟电路等延迟电路,尤其是,涉及振荡频率对电源电压的依赖性小的环形振荡电路及延迟时间对电源电压的依赖性小的延迟电路。现有技术图5是表示现有的频率可调式环形振荡电路的一例的图。在图5中,Vin是用于控制振荡频率的控制电压,Sout是振荡输出。这种环形振荡电路,将K个倒相电路U21、U22、…、U2K按环形连接。这里,K例如为3、5、7…等奇数。在图5中,除初级倒相电路U21以外的倒相电路U22、…、U2K,其内部结构省略,但都是由与初级倒相电路U21相同的电路构成。倒相电路U21,如图5所示,备有由P沟道MOS晶体管MP4及N沟道MOS晶体管MN4构成的CMOS倒相器IV1、起着该CMOS倒相器IV1的电流源作用的P沟道MOS晶体管MP3及N沟道MOS晶体管MN3。如更详细地说,则P沟道MOS晶体管MP4,其栅极端子与倒相电路U21的输入端子(IN)连接,漏极端子与倒相电路U21的输出端子(OUT)连接,源极端子通过P沟道MOS晶体管MP3连接于电源电位。N沟道MOS晶体管MN4,其栅极端子与倒相电路U21的输入端子(IN)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种环形振荡电路,将奇数个倒相电路按环形连接而构成,该环形振荡电路的特征在于:上述倒相电路,包含至少由2个MOS晶体管构成的第1开关部、该第1开关部的电流源、与上述第1开关部并联设置并至少由2个MOS晶体管构成的第2开关部,上述第1开关部和上述第2开关部,将其双方的输入端子公用连接,并将其双方的输出端子公用连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:神崎实
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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