压控振荡器及其制造方法技术

本发明专利技术提供包括薄膜ＢＡＷ谐振器５６和可变电容器元件３０的压控振荡器。薄膜ＢＡＷ谐振器５６包含在Ｓｉ衬底２１上形成的固定部分２２，在固定部分２２上支持并且被布置成面对Ｓｉ衬底２１的下部电极２４，在下部电极２４上形成的第一压电薄膜２５，和在第一压电薄膜２５上形成的上部电极２６。另一方面，可变电容器元件３０包含在Ｓｉ衬底３１上形成的固定电极４２，在Ｓｉ衬底３１上形成的固定部分３８，在固定部分３８上支持并且被布置成面对Ｓｉ衬底３１的第一电极３３，在第一电极３３上形成的第二压电薄膜３４，和在第二压电薄膜３４上形成的第二电极３５。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压控振荡器和制造压控振荡器的方法，尤其涉及配备有在例如便携电话的移动无线通信技术中使用的薄膜BAW谐振器的压控振荡器。
技术介绍
常规压控振荡器包括谐振电路(tank circuit)和可变电容器元件，其中谐振电路包含由线圈或夹心线(strip line)组成的电感器，可变电容器元件使用具有通过电压改变的电容值的变容二级管。常规压控振荡器的有利之处在于，能够在不小于10％的较宽范围上改变频率，但是其缺陷在于，压控振荡器中包含的电感器较大，并且由于电感器或变容二级管的Q值(机械质量系数(mechanically quality coefficient))较小，相位噪声较大。最近，使用薄膜BAW(体声波)谐振器，即薄膜体声波谐振器(FBAR)的压控振荡器得到人们的关注。薄膜BAW谐振器具有通过在一个衬底上一个在另一个上地接连形成下部电极，压电薄膜和上部电极而制备的元件结构，其中间隙介于下部电极和衬底之间。例如在″A 2GHz voltage tunable FBAR oscillator″，A.P.S.Khanna，E.Gane和T.Chong，″2003 IEEE M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压控振荡器，包括薄膜ＢＡＷ谐振器和可变电容器元件，该薄膜ＢＡＷ谐振器包含：第一衬底部分；第一衬底部分上形成的第一支持部分；第一支持部分上支持并且被布置成面对第一衬底部分的下部电极；下部电极上形成的第一压电薄膜；和第一压电薄膜上形成的上部电极；并且可变电容器元件包含：第二衬底部分；第二衬底部分上形成的固定电极；第二衬底部分上形成的第二支持部分；致动器，包含第二支持部分上支持的第一电极，第一电极上形成的第二压电薄膜，和第二压电薄膜上形成的第二电极；和活动电极，被布置成面对固定电极，机械连接到致动器并且在致动器上支持，并且电连接到下部电极和上部电极之一。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川久保隆，阿部和秀，森塚真由美，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]