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本发明提供包括薄膜ＢＡＷ谐振器５６和可变电容器元件３０的压控振荡器。薄膜ＢＡＷ谐振器５６包含在Ｓｉ衬底２１上形成的固定部分２２，在固定部分２２上支持并且被布置成面对Ｓｉ衬底２１的下部电极２４，在下部电极２４上形成的第一压电薄膜２５，和在第一...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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