【技术实现步骤摘要】
一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法
[0001]本专利技术涉及气相沉积
，具体而言，涉及一种等离子增强化学气相沉积装置和沉积方法。
技术介绍
[0002]等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）能借助射频匹配器（RF）等使含有薄膜组成原子的气体电离，并在局部形成等离子体，以在晶圆表面喷淋沉积出所需薄膜的生长过程。
[0003]由于等离子体化学活性很强，使得PECVD的化学反应能在较低的温度下进行。因而，生产过程中，晶圆表面沉积的薄膜的均匀性会极大地影响到产品的质量，现有技术中晶圆表面沉积的薄膜存在均匀性较差的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的在于提供了一种晶圆表面薄膜沉积均匀的等离子增强化学气相沉积装置和等离子增强化学气相沉积装置的沉积方法。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术提供一种等离子增强化学气相沉积装置，包括：框架；气箱，设置于框架；射频匹配器，设置于...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于，包括：框架；气箱，设置于所述框架；射频匹配器，设置于所述框架，且与所述气箱连通，用于处理所述气箱输出的气体；气体分配机构，设置于所述框架，且与所述射频匹配器连通，用于接收所述射频匹配器处理后的气体；沉积机构，设置于所述框架，且包括六个喷淋件、加热盘及六个晶圆工作件；每个所述喷淋件均通过气管与所述气体分配机构连通；所述加热盘能相对所述框架转动；六个所述晶圆工作件间隔设置于所述加热盘，用于安装晶圆，每个所述晶圆工作件能在所述加热盘相对所述框架转动时依次与六个所述喷淋件相对，且每个所述晶圆均被配置为依次经过六个所述喷淋件分批次多次薄膜沉积，以使所述晶圆表面的薄膜在多次沉积后达到预设厚度；且每个所述晶圆工作件均包括开设于所述加热盘上的两个通槽，两个所述通槽间隔设置；所述等离子增强化学气相沉积装置还包括与六个所述晶圆工作件一一对应的六个承托组件，每个所述承托组件均包括能相对所述加热盘运动的两个承托杆，两个所述承托杆能分别通过对应的两个所述通槽伸出至所述加热盘的上方或者能通过对应的两个所述通槽缩回至所述加热盘的下方；当所述承托杆伸出至所述加热盘的上方时，所述承托杆用于承托对应位置的所述晶圆，当所述承托杆缩回至所述加热盘下方时，所述晶圆支撑于所述加热盘。2.根据权利要求1所述的等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：在六个所述喷淋件中，任意连续五个所述喷淋件被配置为依次对每个所述晶圆进行五次薄膜沉积，且五次薄膜沉积中的第一个和最后一个所述喷淋件的薄膜沉积厚度小于中间的所述喷淋件的薄膜沉积厚度。3.根据权利要求2所述的等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：在六个所述喷淋件中，对每个所述晶圆进行喷淋沉积的第一个所述喷淋件的薄膜沉积厚度为所述预设厚度的10%，第二个、第三个以及第四个所述喷淋件的薄膜沉积厚度分别为所述预设厚度的30%，第五个所述喷淋件的薄膜沉积厚度为所述预设厚度的10%，第六个所述喷淋件的薄膜沉积厚度为0。4.根据权利要求3所述的等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：第一个所述喷淋件连接的所述气管的直径为a，第二个、第三个以及第四个所述喷淋件连接的所述气管的直径为3a，第五个所述喷淋件连接的所述气管的直径为a。5.根据权利要求4所述的等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：a的取值范围为4mm~6mm。6.根据权利要求2所述的等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：每个所述喷淋件与所述气体分配机构连通的所述气管上均设置有阀体，所述阀体用于连通或断开对应的所述喷淋件与所述气体分配机构的通路，且每个阀体均能调节对应所述气管的开度。7.根据权利要求2所述的等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：所述等离子增强...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙文彬，刘龙龙，
申请(专利权)人：无锡邑文电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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