半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备技术

本发明专利技术公开了一种多腔室工艺设备，通过预先对第一腔体及第二腔体施予工艺气体及射频，分别找出第一初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第一时间差及第二初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第二时间差，再通过第一时间差与第二时间差反馈校正，进而使本发明专利技术多腔室工艺设备的第一射频产生单元、第二射频产生单元与气源单元均会同步关闭。因此，本发明专利技术多腔室工艺设备的第一腔室所沉积的第一基材与第二腔室所沉积的第二基材品质较为均匀。品质较为均匀。品质较为均匀。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备


[0001]本专利技术涉及一种半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备，特别涉及一种兼具提升产量及改善产品良率的半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备。

技术介绍

[0002]电浆化学沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术被广泛应用在集成电路制造工艺中。为提高生产效率，有些厂商采用了双腔室(twin chamber)的设计，以同时对两片晶圆进行沉积，借此提高机台的利用率、减少机台对洁净室空间的占用率及提升的整体的生产效率。然而，由于两个腔室间反应气体的分布不均、加热器的机械差异、射频产生器的不同步等的差异，造成两个的腔室所沉积的晶圆质量不一，即所谓的腔室不匹配问题，其中尤其以两个射频产生器不同步，例如当机台的气源供应单元还在供应反应气体时，两个射频反应器的其中之一已经关闭，此种情况下容易形成杂质(tiny particle)或缺陷(bump defect)。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术提供一种兼具提升产量及改善产品良率的半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备，以解决上述问题。
[0004]为解决上述问题，本专利技术公开一种适用于多腔室工艺设备的半导体工艺方法，该多腔室工艺设备包含气源单元、第一腔体、第二腔体、第一射频产生单元及第二射频产生单元，该气源单元连通该第一腔体与该第二腔体且用以提供该第一腔体与该第二腔体工艺气体，该第一射频产生单元与该第一腔体耦接，该第二射频产生单元与该第二腔体耦接，其特征在于，该半导体工艺方法包含该气源单元以气源供应流量参数对该第一腔体与该第二腔体供应该工艺气体，得出气源供应时间曲线；该第一射频产生单元以第一初始射频供应时间参数对该第一腔体施加射频，得出第一初始射频供应时间曲线；该第二射频产生单元以第二初始射频供应时间参数对该第二腔体施加该射频，得出第二初始射频供应时间曲线；根据该气源供应时间曲线与该第一初始射频供应时间曲线，计算第一时间差；根据该气源供应时间曲线与该第二初始射频供应时间曲线，计算第二时间差；根据该第一初始射频供应时间参数与该第一时间差，得出第一校正射频供应时间参数，且该第一射频产生单元以该第一校正射频供应时间参数对该第一腔体施加该射频；及根据该第二初始射频供应时间参数与该第二时间差，得出第二校正射频供应时间参数，且该第二射频产生单元以该第二校正射频供应时间参数对该第二腔体施加该射频。
[0005]根据一实施例，该半导体工艺方法进一步包含在该气源单元以该气源供应时间参数对该第一腔体与该第二腔体供应该工艺气体前，将第一基材及第二基材分别置入该第一腔体与该第二腔体。
[0006]根据一实施例，在将该第一基材及该第二基材分别置入该第一腔体与该第二腔体
后且在该气源单元以该气源供应流量参数对该第一腔体与该第二腔体供应该工艺气体前，该半导体工艺方法进一步包含对该第一腔体与该第二腔体输入前置气体；在对该第一腔体与该第二腔体输入该前置气体后，该第一射频产生单元以另一第一初始射频供应时间参数对该第一腔体施加另一射频，使该前置气体与该第一基材上的杂质反应；及在对该第一腔体与该第二腔体输入该前置气体后，该第二射频产生单元以另一第二初始射频供应时间参数对该第二腔体施加该另一射频，使该前置气体与该第二基材上的杂质反应。
[0007]根据一实施例，该半导体工艺方法进一步包含在该第一射频产生单元以该第一校正射频供应时间参数对该第一腔体施加该射频及该第二射频产生单元以该第二校正射频供应时间参数对该第二腔体施加该射频后，将该第一腔体及该第二腔体的气体排放。
[0008]根据一实施例，该半导体工艺方法进一步包含利用连通流道将该第一腔体与该第二腔体连通；及利用压力计量测该第一腔体与该第二腔体的腔压。
[0009]为解决上述问题，本专利技术进一步公开一种多腔室工艺设备，包含气源单元、第一腔体、第二腔体、第一射频产生单元、第二射频产生单元及处理单元，该气源单元连通该第一腔体与该第二腔体且用以提供该第一腔体与该第二腔体工艺气体，该第一射频产生单元与该第一腔体耦接，该第二射频产生单元与该第二腔体耦接，该处理单元耦接该气源单元、该第一射频产生单元与该第二射频产生单元，该多腔室工艺设备配置以执行上述半导体工艺方法。
[0010]根据一实施例，该多腔室工艺设备进一步包含气体排放单元，该气体排放单元连通于该第一腔体与该第二腔体。
[0011]根据一实施例，该多腔室工艺设备进一步包含连通流道及压力计，该连通流道连通该第一腔体连与该第二腔体，该压力计连通该第一腔体连、该第二腔体与该连通流道，该压力计用以量测该第一腔体连与该第二腔体的腔压。
[0012]综上所述，本专利技术提供一种多腔室工艺设备，通过预先对第一腔体及第二腔体施予工艺气体及射频，分别找出第一初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第一时间差及第二初始射频供应时间曲线与气源供应时间曲线间的第二时间差，再通过第一时间差与第二时间差反馈校正，进而使本专利技术多腔室工艺设备的第一射频产生单元、第二射频产生单元与气源单元均会同步关闭。因此，本专利技术多腔室工艺设备的第一腔室所沉积的第一基材与第二腔室所沉积的第二基材品质较为均匀。
附图说明
[0013]图1是本专利技术实施例多腔室工艺设备的示意图。
[0014]图2为本专利技术实施例半导体工艺方法的流程图。
[0015]图3为本专利技术实施例用户输入接口处于初始输入状态的示意图。
[0016]图4为本专利技术实施例气源供应时间曲线、第一初始射频供应时间曲线及第二初始射频供应时间曲线的示意图。
[0017]图5为本专利技术实施例该用户输入接口处于校正输入状态的示意图。
[0018]图6为本专利技术实施例气源供应时间曲线、第一校正射频供应时间曲线及第二校正射频供应时间曲线的示意图。
[0019]图7是本专利技术实施例多腔室工艺设备的功能方块示意图。
[0020]元件标号说明
[0021]1000 多腔室工艺设备
[0022]1 气源单元
[0023]10 气源供应流量参数
[0024]11 气源供应时间曲线
[0025]2 第一腔体
[0026]20 第一腔室
[0027]21 第一气流板
[0028]22 第一热源
[0029]23 第一加热板
[0030]3 第二腔体
[0031]30 第二腔室
[0032]31 第二气流板
[0033]32 第二热源
[0034]33 第二加热板
[0035]4 第一射频产生单元
[0036]40 第一初始射频供应时间曲线
[0037]41 第一校正射频供应时间曲线
[0038]5 第二射频产生单元
[0039]50 第二初始射频供应时间曲线
[0040]51 第二校正射频供应时间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于多腔室工艺设备的半导体工艺方法，该多腔室工艺设备包含气源单元、第一腔体、第二腔体、第一射频产生单元及第二射频产生单元，该气源单元连通该第一腔体与该第二腔体且用以提供该第一腔体与该第二腔体工艺气体，该第一射频产生单元与该第一腔体耦接，该第二射频产生单元与该第二腔体耦接，其特征在于，该半导体工艺方法包含：该气源单元以气源供应流量参数对该第一腔体与该第二腔体供应该工艺气体，得出气源供应时间曲线；该第一射频产生单元以第一初始射频供应时间参数对该第一腔体施加射频，得出第一初始射频供应时间曲线；该第二射频产生单元以第二初始射频供应时间参数对该第二腔体施加该射频，得出第二初始射频供应时间曲线；根据该气源供应时间曲线与该第一初始射频供应时间曲线，计算第一时间差；根据该气源供应时间曲线与该第二初始射频供应时间曲线，计算第二时间差；根据该第一初始射频供应时间参数与该第一时间差，得出第一校正射频供应时间参数，且该第一射频产生单元以该第一校正射频供应时间参数对该第一腔体施加该射频；及根据该第二初始射频供应时间参数与该第二时间差，得出第二校正射频供应时间参数，且该第二射频产生单元以该第二校正射频供应时间参数对该第二腔体施加该射频。2.如权利要求1所述的半导体工艺方法，特征在于，进一步包含：在该气源单元以该气源供应流量参数对该第一腔体与该第二腔体供应该工艺气体前，将第一基材及第二基材分别置入该第一腔体与该第二腔体。3.如权利要求2所述的半导体工艺方法，特征在于，在将该第一基材及该第二基材分别置入该第一腔体与该第二腔体后且在该气源单元以该气源供应流量参数对该第一腔体与该第二腔体供应该工艺气体前，该半导体工艺方法进一步包含：对该第一腔体与该第二腔体输入前置气体；在对该第一腔体与该第二腔体输入该前置气体后，该第一射频产生单元以另一第一初始射频供应时间参数对该第一腔体施加另一射频，使该前置气体与该第一基材上的杂质反应；及在对该第一腔体与该第二腔体输入该前置气体后，该第二射频产生单元以另一第二初始射频供应时间参数对该第二腔体施加该另一射频，使该前置气体与该第二基材上的杂质反应。4.如权利要求1所述的半导体工艺方法，特征在于，进一步包含：在该第一射频产生单元以该第一校正射频供应时间参数对该第一腔体施加该射频及该第二射频产生单元以该第二校正射频供应时间参数对该第二腔体施加该射频后，将该第一腔体及该第二腔体的气体排放。5.如权利要求1所述的半导体工艺方法，特征在于，进一步包含：利用连通流道将该第一腔体与该第二腔体连通；及利用压力计量测该第一腔体与该第二腔体的腔压。6.一种应用于半导体工艺方法的多腔室工艺设备，包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩轲，钱心嘉，孙琼，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：