【技术实现步骤摘要】
一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法
[0001]本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的发展，器件结构从平面结构演化至鳍式三维沟道结构，鳍式沟道结构使栅电极与沟道层的接触面积增加，电子耗尽区域进一步增加，从而使得半导体器件具有更强的栅控能力，有效改善短沟道效应带来的漏电问题。
[0003]目前，半导体器件的鳍式结构都是通过自上而下的干法刻蚀工艺形成的，在制作完外延平面结构后，通过光刻工艺制作掩膜，再用干法刻蚀出三维沟道，得到鳍式结构晶体管。干法刻蚀会在刻蚀表面引入高密度的缺陷态，类施主的缺陷态会引起严重的漏电流，增加器件的关态漏电流以及功耗。当干法刻蚀的损伤过大，会造成器件漏电严重，甚至出现器件难以关断的情况。目前，虽然刻蚀损伤可以通过湿法溶液刻蚀、介质层钝化等工艺降低，但是高密度的刻蚀损伤依然难以从根本上去除，并且刻蚀成本也较高。
[0004]因此，如何提供一种无刻蚀损伤的器件制作方法应是本领域技术人员亟待解决的。
专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有鳍式结构的半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：获得形成有图形化极性调节层的衬底；通过调节
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族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质结，所述鳍式异质结包括在所述衬底未被所述图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质结，以及位于所述图形化极性调节层上的金属极性异质结，所述氮极性异质结和所述金属极性异质结的高度不同；制备电极，得到具有鳍式结构的半导体器件。2.如权利要求1所述的具有鳍式结构的半导体器件的制备方法，其特征在于，当所述金属极性异质结的高度高于所述氮极性异质结的高度时，所述
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族源与Ⅲ族源的输入比在2500以下，所述鳍式异质结包括在远离所述衬底方向上依次层叠的缓冲层、沟道层、势垒层。3.如权利要求1所述的具有鳍式结构的半导体器件的制备方法，其特征在于，当所述金属极性异质结的高度低于所述氮极性异质结的高度时，所述
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族源与Ⅲ族源的输入比大于2500，所述鳍式异质结包括在远离所述衬底方向上依次层叠的缓冲层、背势垒层、沟道层。4.如权利要求1所述的具有鳍式结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭炜，戴贻钧，叶继春，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：
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