半导体结构及半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及半导体结构的形成方法，旨在解决现有工艺形成的介电薄膜，已经不能满足现阶段的半导体结构对性能和速度的要求的技术问题。所述半导体结构包括：金属结构；以及设置在所述金属结构之间的介电薄膜，其中，所述介电薄膜包括：择优取向层及设置于所述择优取向层之上的无定型非结晶层，所述择优取向层为晶体定向的膜层，所述无定型非结晶层为晶体不定向的膜层。该结构的介电薄膜，由于下层择优取向层的存在，使得诱电率得以降低，从而有效降低了择优取向层和无定型非结晶层的介电常数，从而使得整个介电薄膜的介电常数得以降低。电常数得以降低。电常数得以降低。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造的
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着元件的微型化及集成度的增加，单层金属的半导体结构已经不能够满足现阶段对半导体材料的性能和速度要求，半导体结构由原先的单层金属层演变为多层金属层，半导体结构中的互连金属导线的数目也不断增多。
[0003]随着金属层以及金属导线不断增多，半导体结构的电阻(R)及电容(C)寄生效应增大，而寄生效应的增大造成严重的传输延迟(RC Delay)，传输延迟在130纳米及更先进的技术中成为电路中讯号传输速度受限的主要因素。现有技术在半导体工艺中采用新的低电阻材料铜作为互连导线和具有低k值(低介电常数)的介电薄膜作为金属内和金属层间的绝缘材料，以降低传输延迟。
[0004]然而，现有工艺形成的介电薄膜，已经不能满足现阶段的半导体结构对性能和速度的要求。

技术实现思路

[0005]本申请实施例通过提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法，解决了现有工艺形成的介电薄膜，已经不能满本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：金属结构；以及设置在所述金属结构之间的介电薄膜，其中，所述介电薄膜包括：择优取向层及设置于所述择优取向层之上的无定型非结晶层，所述择优取向层为晶体定向的膜层，所述无定型非结晶层为晶体不定向的膜层。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述择优取向层的厚度占所述介电薄膜的总厚度的5％
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50％，其中，所述介电薄膜的总厚度是指所述择优取向层与所述无定型非结晶层的厚度之和。3.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构包括金属结构及设置于所述金属结构之间的介电薄膜，所述介电薄膜的形成方法包括：形成择优取向层，所述择优取向层为晶体定向的膜层；在所述择优取向层上形成无定型非结晶层，所述无定型非结晶层为晶体不定向的膜层。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成择优取向层，包括：在原子层沉积设备中对前驱体进行沉积，形成所述择优取向层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在执行所述形成所述择优取向层的步骤时，所述原子层沉积设备的工艺腔室的温度为400℃～700℃，所述原子层沉积设备的功率为1000W～3000W。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：金志勋，白国斌，高建峰，王桂磊，丁云凌，崔恒玮，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：