涂布设备的缓冲装置和涂布设备制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备，缓冲装置包括：缓冲桶、进液管道和出液管道。缓冲桶具有相对设置的第一端壁和第二端壁。进液管道的出口，位于缓冲桶内并朝向第一端壁。进液管道的出口与第一端壁之间的距离小于进液管道的出口与第二端壁之间的距离。出液管道的入口，位于缓冲桶内并靠近第二端壁。进液管道的出口与出液管道的入口之间的距离不小于设计距离。本申请实施例中的光刻胶从进液管道的出口注入缓冲桶时在压力的作用下会先朝向第一端壁喷出，避免与出液管道的入口接触，进液管道的出口与出液管道的入口之间距离较远，减少混合在即将从出液管道的入口流出的光刻胶内的气泡。流出的光刻胶内的气泡。流出的光刻胶内的气泡。

【技术实现步骤摘要】
涂布设备的缓冲装置和涂布设备


[0001]本申请涉及半导体设备制备
，具体而言，本申请涉及一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备。

技术介绍

[0002]半导体设备在制作过程的中需要使用光刻工艺，光刻工艺中涉及到涂胶单元，需要使用涂布设备对半导体设备(如晶片等)进行涂布。
[0003]涂布制程具体是通过加压装置对液体光刻胶进行加压，将光刻胶输送至缓冲装置，再从缓冲装置的出液管道输出至涂胶机进行涂胶。由于加压装置大多是使用高压气体对液体的光刻胶进行加压，导致光刻胶内容易产生气泡，进而导致涂过程中产生压力报警，降低了半导体设备的良品率。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备，用以解决现有技术存在的光刻胶内容易产生气泡，进而导致涂胶过程中产生压力报警，降低了半导体设备的良品率的技术问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种涂布设备的缓冲装置，包括：缓冲桶、进液管道和出液管道；缓冲桶具有相对设置的第一端壁和第二端壁；
[0006]进液管道的出口，位于缓冲桶内并朝向第一端壁；进液管道的出口与第一端壁之间的距离小于进液管道的出口与第二端壁之间的距离；
[0007]出液管道的入口，位于缓冲桶内并靠近第二端壁；进液管道的出口与出液管道的入口之间的距离不小于设计距离。
[0008]可选地，缓冲桶还包括：侧壁；侧壁的两端分别与第一端壁和第二端壁连接；第二端壁具有进液孔和出液孔；
[0009]进液管道穿设于进液孔，进液管道的出口与侧壁的第一位置接触；
[0010]出液管道穿设于出液孔。
[0011]可选地，进液管道包括第一子进液管道，第一子进液管道位于缓冲桶内，与侧壁之间具有第一夹角；
[0012]第一夹角不小于10度不大于30度。
[0013]可选地，第一位置到侧壁靠近第二端壁的一端的距离，与侧壁的两端之间的距离之比，不小于2/3且不大于3/4。
[0014]可选地，缓冲桶的第一端壁到第二端壁之间的距离为300毫米至400毫米。
[0015]可选地，缓冲桶的体积为0.7升至1.2升。
[0016]可选地，缓冲装置还包括：第一液位传感器和第二液位传感器；
[0017]第一液位传感器与第二液位传感器，都位于第一位置与第一端壁之间，沿第一方向依次设置于侧壁上；第一方向为从第二端壁朝向第一端壁的方向。
[0018]可选地，第一液位传感器到侧壁靠近第二端壁的一端的距离，与侧壁的两端之间的距离之比，不小于2/3且不大于3/4。
[0019]可选地，缓冲装置还包括：排气管道；
[0020]排气管道的进气口开设于第一端壁上。
[0021]第二个方面，本申请实施例还提供一种涂布设备，包括：加压装置、供液装置和如上述第一个方面提供的任一缓冲装置；
[0022]加压装置与供液装置通过管道连接，供液装置与缓冲装置的进液管道的入口连接。
[0023]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
[0024]本申请实施例中的缓冲装置包括缓冲桶、进液管道和出液管道，液体光刻胶从进液管道进入缓冲桶，进液管道的出口朝向缓冲桶的第一端壁，此时光刻胶在进液管道的出口处受到的压力方向朝向第一端壁。进入缓冲桶内的光刻胶从出液管道的入口里流出缓冲桶，出液管道的入口靠近第二端壁。因此，光刻胶从进液管道的出口注入缓冲桶时在压力的作用下会先朝向第一端壁喷出，避免与出液管道的入口接触，进而减少混合在即将从出液管道的入口流出光刻胶内的气泡。
[0025]进液管道的出口与出液管道的入口之间的距离不小于设计距离，光刻胶在进入缓冲桶后，具有一定的缓冲时间和空间，液体光刻胶向第二端壁下沉，气体向第一端壁上浮进而远离出液管道的入口，进一步减少随光刻胶进入出液管道的气泡。
[0026]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0027]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0028]图1为本申请实施例提供的一种缓冲装置的结构示意图；
[0029]图2为本申请实施例提供的另一种缓冲装置的结构示意图；
[0030]图3为本申请实施例提供的又一种缓冲装置的结构示意图；
[0031]图4为本申请实施例提供的一种涂布设备的结构示意图。
[0032]附图标记：
[0033]100
‑
涂布设备；
[0034]1‑
缓冲装置；
[0035]11
‑
缓冲桶；111
‑
第一端壁；112
‑
第二端壁；1121
‑
进液孔；1122
‑
出液孔；113
‑
侧壁；1131
‑
第一位置；
[0036]12
‑
进液管道；121
‑
进液管道12的出口；122
‑
第一子进液管道；
[0037]13
‑
出液管道；131
‑
出液管道13的入口；
[0038]14
‑
第一液位传感器；15
‑
第二液位传感器；16
‑
排气管道；161
‑
进气口；
[0039]2‑
加压装置；3
‑
供液装置；4
‑
光刻胶；A
‑
第一方向。
具体实施方式
[0040]下面结合本申请中的附图描述本申请的实施例。应理解，下面结合附图所阐述的实施方式，是用于解释本申请实施例的技术方案的示例性描述，对本申请实施例的技术方案不构成限制。
[0041]本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该理解，当我们称一个元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，该一个元件可以直接连接或耦接到另一元件，也可以指该一个元件和另一元件通过中间元件建立连接关系。这里使用的术语“和/或”指该术语所限定的项目中的至少一个，例如“A和/或B”可以实现为“A”，或者实现为“B”，或者实现为“A和B”。
[0042]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
[0043]本申请的研发思路包括：由于涂布制程在光刻工艺中极为重要，涂布稳定性为光刻工艺的一项重要指标。现有技术中的进液管道朝向第二端壁伸入缓冲桶内，进液管道的出口离出液管道的入口较近，使得从进液管道进入的气泡容易混入即将从出液管道流出的光刻胶中。当光刻胶中混入气泡从缓冲装置的出液管道流至涂胶机开始涂布时，容易导致涂布不均匀的情况，降低了半导体设备的良本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种涂布设备的缓冲装置，其特征在于，包括：缓冲桶、进液管道和出液管道；所述缓冲桶具有相对设置的第一端壁和第二端壁；所述进液管道的出口，位于所述缓冲桶内并朝向所述第一端壁；所述进液管道的出口与所述第一端壁之间的距离小于所述进液管道的出口与所述第二端壁之间的距离；所述出液管道的入口，位于所述缓冲桶内并靠近所述第二端壁；所述进液管道的出口与所述出液管道的入口之间的距离不小于设计距离。2.根据权利要求1所述的缓冲装置，其特征在于，所述缓冲桶还包括：侧壁；所述侧壁的两端分别与所述第一端壁和所述第二端壁连接；所述第二端壁具有进液孔和出液孔；所述进液管道穿设于所述进液孔，所述进液管道的出口与所述侧壁的第一位置接触；所述出液管道穿设于所述出液孔。3.根据权利要求2所述的缓冲装置，其特征在于，所述进液管道包括第一子进液管道，所述第一子进液管道位于所述缓冲桶内，与所述侧壁之间具有第一夹角；所述第一夹角不小于10度不大于30度。4.根据权利要求2所述的缓冲装置，其特征在于，所述第一位置到所述侧壁靠近所述第二端壁的一端的距离，与所述侧壁的两端之间的距离之比，不小于2/3且不大于3...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱小冬，谈太奇，陈超爱，卢超，蒋浩，
申请(专利权)人：武汉京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：