【技术实现步骤摘要】
涂布设备的缓冲装置和涂布设备
[0001]本申请涉及半导体设备制备
,具体而言,本申请涉及一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备。
技术介绍
[0002]半导体设备在制作过程的中需要使用光刻工艺,光刻工艺中涉及到涂胶单元,需要使用涂布设备对半导体设备(如晶片等)进行涂布。
[0003]涂布制程具体是通过加压装置对液体光刻胶进行加压,将光刻胶输送至缓冲装置,再从缓冲装置的出液管道输出至涂胶机进行涂胶。由于加压装置大多是使用高压气体对液体的光刻胶进行加压,导致光刻胶内容易产生气泡,进而导致涂过程中产生压力报警,降低了半导体设备的良品率。
技术实现思路
[0004]本申请针对现有方式的缺点,提出一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备,用以解决现有技术存在的光刻胶内容易产生气泡,进而导致涂胶过程中产生压力报警,降低了半导体设备的良品率的技术问题。
[0005]第一个方面,本申请实施例提供了一种涂布设备的缓冲装置,包括:缓冲桶、进液管道和出液管道;缓冲桶具有相对设置的第一端壁和第二端壁;
[0006] ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种涂布设备的缓冲装置,其特征在于,包括:缓冲桶、进液管道和出液管道;所述缓冲桶具有相对设置的第一端壁和第二端壁;所述进液管道的出口,位于所述缓冲桶内并朝向所述第一端壁;所述进液管道的出口与所述第一端壁之间的距离小于所述进液管道的出口与所述第二端壁之间的距离;所述出液管道的入口,位于所述缓冲桶内并靠近所述第二端壁;所述进液管道的出口与所述出液管道的入口之间的距离不小于设计距离。2.根据权利要求1所述的缓冲装置,其特征在于,所述缓冲桶还包括:侧壁;所述侧壁的两端分别与所述第一端壁和所述第二端壁连接;所述第二端壁具有进液孔和出液孔;所述进液管道穿设于所述进液孔,所述进液管道的出口与所述侧壁的第一位置接触;所述出液管道穿设于所述出液孔。3.根据权利要求2所述的缓冲装置,其特征在于,所述进液管道包括第一子进液管道,所述第一子进液管道位于所述缓冲桶内,与所述侧壁之间具有第一夹角;所述第一夹角不小于10度不大于30度。4.根据权利要求2所述的缓冲装置,其特征在于,所述第一位置到所述侧壁靠近所述第二端壁的一端的距离,与所述侧壁的两端之间的距离之比,不小于2/3且不大于3...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱小冬,谈太奇,陈超爱,卢超,蒋浩,
申请(专利权)人:武汉京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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