一种半导体加热盘制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体加热盘，包括：底座，以及底部具有敞口的盖体，底座横向一侧内部设置工作台组件，及远离工作台组件的一侧内部设置驱动组件，盖体下方区域设置分隔罩，盖体与分隔罩之间的区域形成第一腔体，及连接分隔罩的第一连接柱，盖体顶部设置接头，盖体内设置供气体排出第一腔体的抽气通道，及被设置接头内与抽气通道连通的抽气口。通过申请实现晶圆与反应气体均匀接触，对反应气体进行回收利用，避免造成反应气体的浪费，并且能够分隔加热腔体，降低热量损失，而且当反应气体气压较大时，能够起到缓冲均化的作用。能够起到缓冲均化的作用。能够起到缓冲均化的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体加热盘


[0001]本专利技术涉及半导体生产制造设备领域，尤其涉及一种半导体加热盘。

技术介绍

[0002]在半导体生产制造过程中，需要用到半导体生产制造设备中的加热盘来对执行匀胶工艺后的晶圆进行软烘，并通过向腔室内输入加热气体来对晶圆进行加热处理。在现有的技术中，晶圆难以与反应气体均匀接触，也不便于对反应气体进行回收利用，造成反应气体的浪费，并且传统晶圆加热盘所形成的加热腔体太大，具有热量损失，而且当反应气体气压较大时，难以起到缓冲均化的作用。
[0003]有鉴于此，有必要对现有技术中的晶圆等半导体器件进行加热的装置予以改进，以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于揭示一种半导体加热盘，用于解决现有技术中的半导体加热盘所存在的诸多缺陷，尤其是为了实现晶圆与反应气体均匀接触，对反应气体进行回收利用，避免造成反应气体的浪费，并且能够分隔加热腔体，降低热量损失，而且当反应气体气压较大时，能够起到缓冲均化的作用。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体加热盘，包括：所述底座横向一侧内部设置工作台组件，及远离所述工作台组件的一侧内部设置驱动组件，
[0006]盖体下方区域设置分隔罩，所述盖体与所述分隔罩之间的区域形成第一腔体，及连接所述分隔罩的第一连接柱，所述盖体顶部设置接头，所述盖体内设置供气体排出所述第一腔体的抽气通道，及被设置所述接头内与所述抽气通道连通的抽气口。
[0007]作为本专利技术的进一步改进，所述分隔罩内部设置容纳导流盘的第二腔体，及连接所述导流盘的第二连接柱，所述接头设置供气体注入所述第二腔体的通气管道，及与所述通气管道连通的进气口。
[0008]作为本专利技术的进一步改进，所述导流盘开设若干导流孔，所述导流盘下方区域形成第三腔体，导流板的边缘处与所述分隔罩之间形成供气体排出的间隙，所述第二腔体通过所述间隙及导流孔与第三腔体相连通，以通过所述第三腔体连通第一腔体。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述底座顶部设置与所述盖体连接的支撑块，及内部设置连接工作台组件的支撑柱，所述底座靠近驱动组件的一侧垂直设置导块。
[0010]作为本专利技术的进一步改进，所述工作台组件包括：连接所述支撑柱顶端的底块，所述底块顶部设置加热盘，及设置所述底块与所述加热盘之间的加热区，纵向贯穿所述底块与所述加热区连接的加热导线，所述加热盘上设置若干吸附块，底块外部设置与底块底部连接的侧边框。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，所述底块包括：连接加热区的壳体，所述壳体内部围设形成中空腔。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述驱动组件包括：气缸，所述气缸顶端设置第一连接块，所述第一连接块靠近所述底块的一侧设置第二连接块，所述第二连接块远离第一连接块的一端连接置于衔接壳内的环形叉杆，所述环形叉杆上装配密封罩。
[0013]作为本专利技术的进一步改进，所述第二连接块靠近所述导块的一侧设置与所述导块上作线性滑动的滑动件，以引导所述第二连接块滑动。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0015]首先，接头通过与抽气口连通的抽气通道来对第一腔体内的反应气体进行抽取，以便于对反应气体进行回收，提高利用率，避免造成反应气体的浪费。
附图说明
[0016]图1为本专利技术半导体加热盘的立体图；
[0017]图2为沿图1中的A
‑
A向的剖视图；
[0018]图3为沿图2中的B
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B向的剖视图；
[0019]图4为沿图2中的C
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C向的剖视图；
[0020]图5为底块与加热盘轴向剖视图；
[0021]图6为气缸与第一连接块的立体图；
[0022]图7为底座与衔接板的立体图；
[0023]图8为盖体与接头的立体剖视图；
[0024]图9为分隔罩与第二连接柱的立体剖视图；
[0025]图10为图9中标号A处的放大图；
[0026]图11为第二连接柱与导流板的立体图。
具体实施方式
[0027]下面结合附图所示的各实施方式对本专利技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本专利技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本专利技术的保护范围之内。
[0028]需要理解的是，在本申请中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“轴向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术方案和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术方案的限制。
[0029]尤其需要说明的是，在本专利技术的实施例中，术语“纵向”是指与地平线或水平面的垂直方向。术语“横向”是指与地平线或水平面的平行方向。术语“纵截面”如无特殊说明均指沿图2中以垂直方向平行于纸面的角度剖切各个部件所形成的截面图。术语“围设”是指在壳体内部形成包围设置。
[0030]请参图1至图11所揭示的本专利技术一种半导体加热盘的一种具体实施方式。
[0031]参图1、图2与图6及图7所示，在本实施例中，该半导体加热盘包括：底座10，底座10横向一侧内部设置工作台组件，及远离工作台组件的一侧内部设置驱动组件，驱动组件包括：气缸30。需要说明的是，气缸30可以为电动推杆、气动元件等设备，只要能够实现带动第
一连接块31进行升降运动均可。底座10顶部设置与盖体20连接的支撑块11，及内部设置连接工作台组件的支撑柱12，底座10靠近驱动组件的一侧垂直设置导块13。需要说明的是支撑块11的形状不唯一，支撑块11在竖直方向形成的纵截面轮廓即可如图2所示出的形态，还可为“[”字型或弧形，只要能够实现支撑盖体20的支撑块即可，在本实施方式中，优选为“∟”字型的支撑块11以支撑盖体20，支撑块11与盖体20之间是采用螺栓和螺母进行连接的，只要能够实现将盖体20固定在支撑块11上的连接方式即可。
[0032]气缸30顶端设置第一连接块31，第一连接块31靠近底块401的一侧设置第二连接块311，第二连接块311远离第一连接块31的一端连接置于衔接壳12内的环形叉杆32，环形叉杆32上装配密封罩33。第二连接块311与环形叉杆32及密封罩33是通过螺栓和螺母进行连接的，只要能够实现将密封罩33固定于环形叉杆32及环形叉杆32固定于第二连接块311的连接方式即可。通过启动气缸30能够带动第一连接块31进行升降运动，使得第一连接块31能够带动第二连接块311进行同步升降运动，从而便于第二连接块311带动环形叉杆32沿N向向上进行抬升运动，进而使环形叉杆32能够带动密封罩33的抵住盖体20，进而形成密封腔体，以防止在注入反应气体时发生泄漏，保障对晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加热盘，包括：底座，以及底部具有敞口的盖体，所述底座横向一侧内部设置工作台组件，及远离所述工作台组件的一侧内部设置驱动组件，其特征在于，盖体下方区域设置分隔罩，所述盖体与所述分隔罩之间的区域形成第一腔体，及连接所述分隔罩的第一连接柱，所述盖体顶部设置接头，所述盖体内设置供气体排出所述第一腔体的抽气通道，及被设置所述接头内与所述抽气通道连通的抽气口。2.根据权利要求1所述的半导体加热盘，其特征在于，所述分隔罩内部设置容纳导流盘的第二腔体，及连接所述导流盘的第二连接柱，所述接头设置供气体注入所述第二腔体的通气管道，及与所述通气管道连通的进气口。3.根据权利要求2所述的半导体加热盘，其特征在于，所述导流盘开设若干导流孔，所述导流盘下方区域形成第三腔体，导流板的边缘处与所述分隔罩之间形成供气体排出的间隙，所述第二腔体通过所述间隙及导流孔与第三腔体相连通，以通过所述第三腔体连通第一腔体。4.根据权利要求1所述的半导体加热盘，其特征在于，所述底座顶部设置与...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洋，杨仕品，孙先淼，
申请(专利权)人：智程半导体设备科技昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：