一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构制造技术

本实用新型专利技术涉及电机控制技术领域，具体地说，涉及一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构。其包括采样组件、输出基座、输入基座和PCB板，所述采样组件、输出基座、输入基座焊接在PCB板上，并与其固定连接，所述PCB板设置控制电路。本实用新型专利技术通过安装在采样组件上的双电阻RS1和RS2采样，另外通过运算放大器对电流信号进行放大运算，使采样更加精准，同时铜排提高了电阻的散热能力，加大了电流的采集范围，采样组件的立体安装方式提高了板体对空间上的利用，同时也缩短了电流回路，降低寄生电感，提高了控制器的可靠性。提高了控制器的可靠性。提高了控制器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构


[0001]本技术涉及电机控制
，具体地说，涉及一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构。

技术介绍

[0002]早期的三相电机控制器，要求较低因此大多采用母线单电阻采样，随着技术要求的提高单电阻采样本身的一些缺陷：
[0003]1)采样需要移相获得窗口时间，因为移相操作引入了谐波噪音；
[0004]2)单电阻采样重构算法相较双电阻采样复杂很多，对应用在需要更高转速或更高载波频率的场景，单电阻采样对MCU的计算能力要求更高，因此使用受到很大限制；
[0005]3)单电阻采样的电阻布置在功率器件的的一端，因此随着负载增大会因为线路损耗造成采样的细微偏差。
[0006]除单电阻技术外一些厂家还采用了MOS内阻采样的方式进行替代，该技术主要缺陷在于MOS管的内阻随着温度升降有很大的变化，因为成本限制很难做到每个MOS温度的精确检测，因此即使加入温度补偿算法也很难精确测量。
[0007]通常都是利用双电阻采样，有采样精准，算法难度低，且成本增加较少的优点，但是传统的双电阻采样因为需要加入两相的采样电阻，需要占用大量板面面积PCB成本有较多增加并且通电回路变得很长，引生了较大的寄生电感不利于产品应用，鉴于此，本技术提出一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构。

技术实现思路

[0008]本技术的目的在于提供一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0009]为实现上述目的，本技术提供一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构，采样组件、输出基座、输入基座和PCB板，所述采样组件、输出基座、输入基座焊接在PCB板上，并与其固定连接，所述PCB板设置控制电路；
[0010]所述控制电路包括相路A、B和C，双电阻采样电路，运算放大器OP1和OP2；
[0011]所述相路A包括晶体管AH和AL，相路B包括晶体管BH和BL，相路C包括晶体管CH和CL，晶体管AH、BH和CH的输入端均连接有电压VDC；晶体管AH与晶体管AL串联；晶体管BH与晶体管BL串联；晶体管CH与晶体管CL串联；
[0012]所述采样组件包括电阻RS1、电阻RS2、铜排A、铜排B和铜排C，其中电阻RS1两端分别与铜排B和铜排C连接，电阻RS2两端分别与铜排A和铜排C连接；
[0013]所述电阻RS1通过铜排B与相路A串联连接；
[0014]所述电阻RS2通过铜排C与相路B串联连接；
[0015]所述运算放大器OP1输入端与电阻RS2输出端连接，所述运算放大器OP2输入端与电阻RS1输出端连接，所述运算放大器OP1和OP2分别输出电流信号Ib和Ia至单片机。
[0016]所述采样组件与PCB板垂直连接，且采样组件与PCB板之间设置有镂空槽。
[0017]作为本技术方案的进一步改进，所述相路A包括晶体管AH和AL，所述相路B包括晶体管BH和BL，所述相路C包括晶体管CH和CL，其中：
[0018]所述晶体管AH、BH和CH的输入端均连接有电压VDC；
[0019]所述晶体管AH与晶体管AL串联；
[0020]所述晶体管BH与晶体管BL串联；
[0021]所述晶体管CH与晶体管CL串联。
[0022]所述输出基座用于将相路A、B和C接入控制电路；
[0023]所述输入基座将电压VDC接入控制电路。
[0024]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0025]1、该针电机控制器双电阻采样立体铜排结构中，通过安装在采样组件上的双电阻RS1和RS2采样，另外通过运算放大器对电流信号进行放大运算，使采样更加精准，同时铜排提高了电阻的散热能力，加大了电流的采集范围，采样组件的立体安装方式提高了板体对空间上的利用，同时也缩短了电流回路，降低寄生电感，提高了控制器的可靠性。
附图说明
[0026]图1为本技术的整体结构示意图；
[0027]图2为本技术的采样组件结构拆分图；
[0028]图3为本技术的板体结构示意图；
[0029]图4为本技术的控制电路工作原理示意图其一；
[0030]图5为本技术的控制电路工作原理示意图其二；
[0031]图中各个标号意义为：
[0032]10、采样组件；20、输出基座；30、输入基座；40、PCB板；
[0033]101、电阻RS1；102、电阻RS2；103、铜排A；104、铜排B；105、铜排C。
具体实施方式
[0034]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0035]请参阅图1
‑
图3所示，本技术提供一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构，包括采样组件、输出基座、输入基座和PCB板，采样组件、输出基座、输入基座焊接在PCB板上，并与其固定连接，PCB板设置控制电路。控制电路包括相路A、B和C，双电阻采样电路，运算放大器OP1和OP2，其中：
[0036]相路A包括晶体管AH和AL，相路B包括晶体管BH和BL，相路C包括晶体管CH和CL，晶体管AH、BH和CH的输入端均连接有电压VDC；晶体管AH与晶体管AL串联；晶体管BH与晶体管BL串联；晶体管CH与晶体管CL串联；
[0037]采样组件包括电阻RS1、电阻RS2、铜排A、铜排B和铜排C，其中电阻RS1两端分别与铜排B和铜排C连接，电阻RS2两端分别与铜排A和铜排C连接。电阻RS1通过铜排B与相路A串
联连接。电阻RS2通过铜排C与相路B串联连接；运算放大器OP1输入端与电阻RS2输出端连接，所述运算放大器OP2输入端与电阻RS1输出端连接，所述运算放大器OP1和OP2分别输出电流信号Ib和Ia至单片机。
[0038]工作原理：
[0039]电阻RS1和RS2采样时电压VDC向晶体管AH、BH和CH供电，电流经过电机后，通过晶体管AL和BL流至对应的电阻RS1和RS2，然后电阻RS1和RS2通过运算放大器OP1和OP2放大后传送至单片机，实现电机电流的实时采样，请参阅图4所示，本实施例中通过运算放大器对电流信号进行放大运算，使采样更加精准，同时铜排提高了电阻的散热能力，加大了电流的采集范围，采样组件的立体安装方式提高了板体对空间上的利用，同时也缩短了电流回路，降低寄生电感，提高了控制器的可靠性。
[0040]值得说明的是，采样组件10、输出基座20、输入基座30焊接在PCB板40上，并与其固定连接，PCB板设置控制电路，控制电路包括相路A、B和C，双电阻采样电路，运算放大器OP1和OP2。其中：
[0041]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种针电机控制器双电阻采样立体铜排结构，包括采样组件(10)、输出基座(20)、输入基座(30)和PCB板(40)，所述采样组件(10)、输出基座(20)、输入基座(30)焊接在PCB板(40)上，并与其固定连接；所述采样组件(10)包括电阻RS1(101)、电阻RS2(102)、铜排A(103)、铜排B(104)和铜排C(105)，其中电阻RS1(101)两端分别与铜排B(104)和铜排C(105)连接，电阻RS2(102)两端分别与铜排A(103)和铜排C(105)连接；所述电阻RS1(101)通过铜排B(104)与相路A串联连接；所述电阻RS2(102)通过铜排C(105)与相路B串联连接；所述PCB板(40)上设置有控制电路，其包括相路A、B和C，双电阻采样电路，运算放大器OP1和OP2；所述运算放大器OP1输入端与电阻RS2输出端连接，所述运算放大器OP2输入端与电阻RS1输出端连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锴，
申请(专利权)人：河北顶控新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：