半导体芯片制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体芯片制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体芯片制造方法包括在晶圆的远离衬底的侧面划分交替分布且均沿半导体芯片的腔面方向延伸的奇数列和偶数列；在奇数列开设槽底伸至晶圆衬底的第一凹槽，第一凹槽的内侧镀第一膜层；在偶数列开设槽底伸至晶圆衬底且与第一凹槽间隔设置的第二凹槽；在第二凹槽的内侧镀第二膜层；沿半导体芯片的腔面方向在第一凹槽处和第二凹槽处解理晶圆以得到多个巴排。该半导体芯片制造方法通过先镀膜后解理巴排，可以防止巴排产生水波纹状裂纹，以及可以防止半导体芯片的腔面长时间暴露，不需使用夹具翻转巴条。不需使用夹具翻转巴条。不需使用夹具翻转巴条。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体芯片制造方法。

技术介绍

[0002]晶圆通常包括衬底、外延层、保护层和电极，对晶圆进行解理、镀膜等工艺后可得到半导体芯片。现有的半导体芯片制造过程，通常是在晶圆衬底上依次生长外延层、保护层和电极后，如图1和图2所示，沿着垂直于半导体芯片腔面的方向（也是沿着平行于共振腔方向）将晶圆1解理为巴排2，再如图2和图3所示，将巴排2解理为巴条3，每个巴条3可以包括一个或多个半导体芯片。继而如图4所示，需对巴条3进行腔面镀膜（对共振腔方向的外延层侧面进行镀膜，对前腔面镀增透膜，对后腔面镀反射膜，以形成使受激辐射光子增生的共振腔），镀膜完成后，再如图5所示，对巴条进行去边以得到尺寸符合要求的巴条，至此可完成半导体芯片的制造过程。
[0003]但上述半导体芯片制造过程中，晶圆解理成巴排时施加的外力垂直于半导体芯片的腔面，易导致巴排表面产生水波纹状裂纹；镀膜时则会导致半导体芯片的腔面长时间暴露在空气中，以及镀膜时需使用夹具翻转巴条，不仅易造成巴条破损且会降低作业效率。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片制造方法，其特征在于，包括：在晶圆（1）的远离衬底（10）的侧面划分交替分布的奇数列和偶数列，所述奇数列和所述偶数列均沿半导体芯片的腔面方向延伸；在所述奇数列开设第一凹槽（4），并使所述第一凹槽（4）的槽底伸至晶圆（1）的衬底（10）；在所述第一凹槽（4）的内侧镀第一膜层（40）；在所述偶数列开设与所述第一凹槽（4）间隔设置的第二凹槽（5），并使所述第二凹槽（5）的槽底伸至晶圆（1）的衬底（10）；在所述第二凹槽（5）的内侧镀第二膜层（50），所述第二膜层（50）为增透膜和反射膜中的一种，所述第一膜层（40）为另一种；沿半导体芯片的腔面方向在所述第一凹槽（4）处和所述第二凹槽（5）处解理晶圆（1）以得到多个巴排（2）。2.根据权利要求1所述的半导体芯片制造方法，其特征在于，还包括在沿半导体芯片的腔面方向在所述第一凹槽（4）处和所述第二凹槽（5）处解理晶圆（1）后的步骤：沿垂直于半导体芯片的腔面的方向将所述巴排（2）解理成多个巴条（3）。3.根据权利要求1所述的半导体芯片制造方法，其特征在于，还包括在沿半导体芯片的腔面方向在所述第一凹槽（4）处和所述第二凹槽（5）处解理晶圆（1）后的步骤：在所述巴排（2）的远离晶圆（1）衬底（10）的一侧镀第一电极（6）；在所述巴排（2）的设有晶圆（1）衬底（10）的一侧镀第二电极（7）。4.根据权利要求3所述的半导体芯片制造方法，其特征在于，在所述巴排（2）的设有晶圆（1）衬底（10）的一侧镀第二电极（7）的步骤包括：在所述巴排（2）的设有晶圆（1）衬底（10）的一侧划分出用于解理出巴条（3）的解理区域，并在所述解理区域处设置遮挡条；在所述巴排（2）的设有晶圆（1）衬底（10）一侧的位于所述遮挡条两侧的区域镀第二电极（7）。5.根据权利要求1所述的半导体芯片制造方法，其特征在于，还包括在所述第二凹槽（5）的内侧镀第二膜层（50）前的步骤：在所述第一凹槽（4）处设置掩膜板以遮盖所述第一凹槽（4）的槽内空间。6.根据权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：刘中华，李颖，惠利省，杨国文，赵卫东，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：