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本发明提供一种半导体芯片制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体芯片制造方法包括在晶圆的远离衬底的侧面划分交替分布且均沿半导体芯片的腔面方向延伸的奇数列和偶数列；在奇数列开设槽底伸至晶圆衬底的第一凹槽，第一凹槽的内侧镀第一膜层；在偶数列开设槽...
该专利属于度亘激光技术（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘激光技术（苏州）有限公司授权不得商用。

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