使用雷射激光剥离将LED晶粒从基板剥离至接收板件的制造方法技术

一种发光二极管LED晶粒(32)的制造方法包含下述步骤：提供一基板(30)，及形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构(32)于基板(30)上。制造方法亦包含下述步骤：提供一接收板件(42)，其具有一弹性体聚合物层(44)；安装基板(30)与接收板件(42)，以与由弹性体聚合物层(44)施加的一粘着力呈物理接触；及执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束(40)通过基板(30)而到达位于与基板(30)连接的一接口的半导体层(50)，以剥离此些半导体结构(32)至弹性体聚合物层(44)之上。在LLO工艺期间，弹性体聚合物层(44)作为一冲击吸收器以减少动量移转，并作为一粘着表面以将此些半导体结构(32)固持在接收板件(42)上的一定位置。接收板件(42)上的一定位置。接收板件(42)上的一定位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用雷射激光剥离将LED晶粒从基板剥离至接收板件的制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利技术要求于2019年8月28日提交的申请号为62/892,644的美国临时专利申请为优先权，其内容通过引用整体并入本专利技术。


[0003]本揭露内容是有关于半导体制造，且特别是有关于使用半导体制造技术来制造发光二极管(Light Emitting Diode,LED)晶粒。

技术介绍

[0004]在发光二极管(LED)晶粒(dice)的制造中，使用例如蓝宝石的基板可制造出GaN外延或外延(Epitaxial)堆叠。譬如，垂直发光二极管(Vertical Light Emitting Diode,VLED)晶粒可被形成于一蓝宝石基板上，而伴随着借由使用共晶金属而形成的连续的副基板，以接合副基板，或借由使用电镀技术将副基板沉积在此些外延或外延堆叠上。
[0005]图1A至图1C显示一种将发光二极管(LED)晶粒10(图1C)制造于一基板12上的已知方法。图1A显示数个半导体结构14的形成，而半导体结构14包含一p<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管LED晶粒的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板；形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构于该基板上；提供一接收板件，该接收板件具有一弹性体聚合物层；安装该基板与该接收板件，以与由该弹性体聚合物层施加的一粘着力呈物理接触；及执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板而到达位于与该基板连接的一接口的该半导体层，以剥离所述多个半导体结构至该弹性体聚合物层之上。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包含：选择一激光波长及功率以使该激光光束可传输通过该基板并被位于与该基板连接的该接口处的该半导体层吸收。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该激光剥离工艺期间，该激光光束依序一次聚焦于所述多个半导体结构的至少一个上，以移除该基板上的所有半导体结构或只有选择的半导体结构。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该基板包含一蓝宝石晶圆，而该接收板件包含大于该晶圆的一板件。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，位于该接收板件上的该弹性体聚合物层包含一压敏可固化硅胶。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个半导体结构包含多个GaN层。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使用一准分子激光来进行该激光剥离工艺。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个半导体结构包含垂直发光二极管VLED晶粒或覆晶发光二极管晶粒FCLED。9.一种发光二极管LED晶粒的制造方法，其特征在于，包含：提供包含蓝宝石的一基板；形成多个具有晶粒尺寸的半导体结构于该基板上，每个半导体结构包含一外延堆叠，该外延堆叠包含一GaN层；提供一接收板件，该接收板件具有一弹性体聚合物层，该弹性体聚合物层包含一压敏可固化硅胶；安装该基板与该接收板件，以与由该弹性体聚合物层施加的一粘着力呈物理接触；及执行一激光剥离LLO工艺，借由导引一均匀激光光束通过该基板到达位于该基板上的一蓝宝石/GaN接口的该半导体层，以剥离所述多个半导体结构至该弹性体聚合物层之上，并在该激光剥离工艺以后，使该弹性体聚合物层保持所述多个半导体结构在该接收板件上的一定位置。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该弹性体聚合物层包含一旋涂式聚合物。11.如权利要求9所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱振甫，詹士凯，施逸丰，段大卫，段忠，小川敬典，大竹滉平，近藤和纪，大堀敬司，北川太一，松本展明，小材利之，上田修平，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：