【技术实现步骤摘要】
半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条
[0001]本专利技术属于半导体激光器领域，具体涉及一种半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条。
技术介绍
[0002]随着半导体激光器技术的日趋成熟，高功率半导体激光器在材料加工、激光泵浦、光通信、医疗美容等领域有着较为广泛的应用。激光器的大规模使用对器件的功率提出了更高的要求，由瓦级的单管产品逐渐向百瓦级的阵列巴条发展。
[0003]目前，将单管器件按照空间水平方向进行简单平移复制，相当于多单管并列组合，以提高器件的功率。但是，该种方式却存在以下问题：
[0004]1)该种方式只是增加了阵列巴条的功率，而器件的光束质量相较于单管光束变得较差，这是由于单管是单点发光，高功率单管的半导体激光器光束是一个椭圆形，光束光斑质量较差，尤其是水平方向，甚至出现暗线或暗区；而阵列巴条是多单管组合，组合后，由于每个单点的光束质量各不相同，组合的光束光斑质量更差。此外，单管器件的光束整形目前比较成熟，而多个单管并列组合形成的阵列巴条光束质量较差，对巴条的光束整...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在N型衬底层表面使用MOCVD生长外延晶体材料，形成外延晶体层；步骤二、在外延晶体层表面按照阵列巴条进行光刻刻蚀，形成多个依次排列的发光脊条，发光脊条的宽度为1～5um，相邻发光脊条之间的间距大于5um，刻蚀深度至N型衬底层的上表面；步骤三、对N型衬底层边缘多次刻蚀形成多个台阶，各台阶深度为3～5um，宽度为50～100um，随后，在发光脊条表面、N型衬底层的上表面生长绝缘层氧化物，形成绝缘介质层；生长绝缘层氧化物时，在发光脊条的正上方开设电流注入窗口，电流注入窗口的宽度为2
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5um；步骤四、在发光脊条表面、N型衬底层的上表面制作导电金属层，随后将台阶区域的导电金属层去除；步骤五、对N型衬底层的下表面进行厚度减薄，随后在N型衬底层的下表面制作导电金属层；步骤六、解理巴条制作腔面膜层，阵列巴条制作完成，将制作的阵列巴条设置在热沉上方进行封装，且热沉上表面设置有焊料层。2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤二中，多个发光脊条之间的间距设置为相等或不相等。3.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤二中，发光脊条包括由下至上依次设置的N型限制层、量子阱波导层和P型限制层。4.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵永超，王琛琛，李青民，侯海峰，徐斌，
申请(专利权)人：西安立芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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