多核稀土基有机无机杂化磁性材料及其制备方法与应用技术

技术编号:33931569 阅读:22 留言:0更新日期:2022-06-25 22:32
本发明专利技术公开了一种多核稀土基有机无机杂化磁性材料及其制备方法与应用。所述多核稀土基有机无机杂化磁性材料的化学式为[Dy5(HINO)2(OH)

【技术实现步骤摘要】
多核稀土基有机无机杂化磁性材料及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于磁体材料
,具体涉及一种多核稀土基有机无机杂化磁性材料及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]单分子磁体(SMMs)在信息存储、量子器件及量子计算等方面具有潜在的应用价值。如何提高SMMs的有效能垒和阻塞温度是目前分子纳米磁体研究领域亟待解决的难题。并且现有方法制备的稀土单分子磁体存在合成条件苛刻,且在空气中不稳定等问题。晶体场的对称性对SMMs的性能具有重大影响作用。因此,提供一种合成方法简单且在空气和常用有机溶剂中结构稳定的单分子磁体是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种多核稀土基有机无机杂化磁性材料及其制备方法与应用,以克服现有技术的不足。
[0004]为实现前述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案包括:
[0005]本专利技术实施例提供了一种多核稀土基有机无机杂化磁性材料,所述多核稀土基有机无机杂化磁性材料的化学式为[Dy5(HINO)2(OH)
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(H2O)本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多核稀土基有机无机杂化磁性材料,其特征在于,所述多核稀土基有机无机杂化磁性材料的化学式为[Dy5(HINO)2(OH)
14
(H2O)2(CH3COO)]
·
8H2O,其中,HINO为异烟酸氮氧化物;所述多核稀土基有机无机杂化磁性材料属于四方晶系,空间群为P4/nmm,晶胞参数为:α=β=γ=90
°
;2.根据权利要求1所述的多核稀土基有机无机杂化磁性材料,其特征在于:所述HINO具有如式(I)所示的结构:3.根据权利要求1所述的多核稀土基有机无机杂化磁性材料,其特征在于:所述多核稀土基有机无机杂化磁性材料是由六核镝簇通过金属镝连接形成一维链,一维链再通过配体连接形成三维结构而得到的。4.根据权利要求3所述的多核稀土基有机无机杂化磁性材料,其特征在于:所述六核镝簇是由四个七配位的Dy
3+
离子和两个八配位的Dy
3+
离子构成,其中两个八配位的Dy
3+
离子是连接六核簇的节点;和/或,所述六核镝簇是由四个六配位的Dy
3+
离子和两个八配位的Dy<...

【专利技术属性】
技术研发人员:张雪静陈迪明崔天露袁金云聂聚银
申请(专利权)人:郑州轻工业大学
类型:发明
国别省市:

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