LED芯片筛选方法及显示屏技术

本发明专利技术公开一种LED芯片筛选方法，其采用预设脉冲冲击LED芯片；使用预设脉冲以预设幅度、预设宽度冲击LED芯片后，检测LED芯片的电特性值；根据电特性值是否符合电特性阈值筛选出合格LED芯片。采用这些合格LED芯片制成的LED显示屏低辉显示时不会出现暗线现象，制成的LED显示屏的显示质量高。另，本发明专利技术还公开一种采用该筛选方法筛选出的LED芯片制成的显示屏。屏。屏。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片筛选方法及显示屏


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种LED芯片筛选方法及显示屏。

技术介绍

[0002]当LED显示屏以低辉度显示时，有些LED芯片会发生亮度偏低的状况，导致LED显示屏出现暗线现象，降低了显示质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种LED芯片筛选方法，以筛选出在低辉度显示时亮度合格的LED芯片，解决LED显示屏低辉显示时出现暗线的问题。
[0004]本专利技术的另一目的在于提供一种低辉显示时不会出现暗线的显示屏。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种LED芯片筛选方法，包括：
[0006]采用预设脉冲冲击LED芯片；
[0007]使用所述预设脉冲以预设幅度、预设宽度冲击LED芯片后，检测所述LED芯片的电特性值；
[0008]根据所述电特性值是否符合电特性阈值筛选合格LED芯片。
[0009]在一些实施例中，所述预设脉冲为电流脉冲。
[0010]在一些实施例中，所述预设幅度不超过3uA。
[0011]在一些实施例中，所述电特性值为电压值。
[0012]在一些实施例中，所述电特性阈值根据影响所述LED芯片亮度的影响因素确定，所述影响因素包括芯片尺寸特征、芯片出光波长、所述预设脉冲的宽度及所述预设脉冲的幅度。
[0013]在一些实施例中，所述芯片尺寸特征为芯片表面积。
[0014]在一些实施例中，所述LED芯片为蓝光芯片，所述LED芯片长175
±
25um，宽100
±
25um，厚85
±
10um，所述预设宽度为3ms，所述预设幅度为0.1uA，所述电特性阈值为2.12V～2.3V。
[0015]在一些实施例中，所述LED芯片为绿光芯片，所述LED芯片长175
±
25um，宽100
±
25um，厚85
±
10um，所述预设宽度为3ms，所述预设幅度为0.1uA，所述电特性阈值为1.86V～2.02V。
[0016]在一些实施例中，上述被筛选出的合格LED芯片以窄脉冲点亮时亮度等于或高于目标亮度，不会出现亮度偏低；所述窄脉冲的窄脉冲宽度小于或等于所述LED芯片最大亮度对应的脉冲宽度的5％；
[0017]在一些实施例中，所述窄脉冲为电流脉冲。
[0018]为实现上述目的，本专利技术还提供了一种显示屏，所述显示屏包括若干采用如上所述的LED芯片筛选方法筛选出的合格LED芯片。
[0019]本专利技术提供的LED芯片筛选方法，采用预设脉冲冲击LED芯片；使用预设脉冲以预
设幅度、预设宽度冲击LED芯片后，检测LED芯片的电特性值；根据电特性值是否符合电特性阈值筛选出合格LED芯片。采用这些合格LED芯片制成的LED显示屏低辉显示时不会出现暗线现象，制成的LED显示屏的显示质量高。
附图说明
[0020]图1是合格的LED芯片的电流电压曲线；
[0021]图2是以窄电流脉冲启动时亮度低于目标亮度的LED芯片的电流电压曲线。
具体实施方式
[0022]为详细说明本专利技术的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]以下，对本专利技术实施例的技术方案进行详细说明：
[0024]本专利技术一实施例提供的LED芯片筛选方法，采用预设脉冲冲击LED芯片；使用预设脉冲以预设幅度、预设宽度冲击LED芯片后，检测LED芯片的电特性值；根据电特性值是否符合电特性阈值筛选合格LED芯片，从而能够区分以低辉度显示时亮度能够达到目标亮度的合格LED芯片和以低辉度显示时亮度不能达到目标亮度的不合格LED芯片，以筛选出低辉度显示时亮度能够达到目标亮度的合格LED芯片，而除去低以低辉度显示时亮度不能达到目标亮度的不合格LED芯片，从而在后续制作LED显示屏时，可以仅采用低辉度显示时亮度能够达到目标亮度的合格LED芯片进行制作，使得制成的LED显示屏在采用低辉度显示时不会出现暗线，获得显示质量高的LED显示屏。该LED芯片筛选方法包括以下步骤S1至步骤S3。
[0025]S1，采用预设脉冲冲击LED芯片。
[0026]其中，预设脉冲可以是电流脉冲，预设脉冲还可以是电压脉冲等。
[0027]S2，使用预设脉冲以预设幅度、预设宽度冲击LED芯片后，检测LED芯片的电特性值。
[0028]其中，电特性值可以是电压值，电特性值还可以是电流值等。
[0029]S3，根据电特性值是否符合电特性阈值筛选合格LED芯片。
[0030]具体为：若LED芯片的电特性值符合电特性阈值，则该LED芯片为合格LED芯片；若LED芯片的电特性值不符合电特性阈值，则该LED芯片为不合格LED芯片。
[0031]采用上述步骤S1
‑
S3筛选出的合格LED芯片，以窄脉冲点亮时亮度等于或高于目标亮度，目标亮度为非偏低亮度。其中，窄脉冲的窄脉冲宽度小于或等于LED芯片最大亮度对应的脉冲宽度的5％，其中，最大亮度对应的脉冲宽度为最大亮度对应的脉冲占空比与刷新率的比值。
[0032]以下，以预设脉冲为电流脉冲，电特性值、电特性阈值为电压值为例，对本专利技术一实施例的技术方案进行说明。
[0033]本专利技术一实施例的LED芯片筛选方法包括以下步骤S1至步骤S3：
[0034]S1，根据影响LED芯片亮度的影响因素确定用于筛选LED芯片的电压阈值，影响因素包括芯片尺寸特征、芯片出光波长、通电时长(脉冲宽度)及通电电流(脉冲幅度)。在既定
芯片尺寸特征、芯片出光波长、通电电流等影响因素下，以既定的通电电流、通电时长启动LED芯片时，符合设定的电压阈值的LED芯片不会出现亮度偏低，即是，LED芯片的亮度可以达到目标亮度。
[0035]专利技术人发现，在以通电时长小于或等于LED芯片最大亮度对应的脉冲宽度的5％，通电电流较小(如不超过3uA)的通电电流的电流脉冲，启动LED芯片时，芯片尺寸特征会影响LED芯片的发光情况，因此，在以同等电流脉冲启动LED芯片时，不同尺寸特征的LED芯片会表现出不同的发光情况，因此，在确定电压阈值时，将芯片尺寸特征作为其中一考虑因素。
[0036]专利技术人发现，人眼对不同波长的光的识别敏感程度不同，在相同的亮度下，对于不同波长的光，人眼的感知有所不同，因此，在确定电压阈值时，还将芯片出光波长作为其中一考虑因素。
[0037]专利技术人发现，在以较低电流的电流脉冲启动LED芯片时，随着通电时长的延长，LED芯片的发光亮度会增强，在达到一定时间后，即使LED芯片是在以较低通电电流的电流脉冲启动时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片筛选方法，其特征在于，包括：采用预设脉冲冲击LED芯片；使用所述预设脉冲以预设幅度、预设宽度冲击LED芯片后，检测所述LED芯片的电特性值；根据所述电特性值是否符合电特性阈值筛选合格LED芯片。2.如权利要求1所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述预设脉冲为电流脉冲。3.如权利要求2所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述预设幅度不超过3uA。4.如权利要求1至3任一项所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述电特性值为电压值。5.如权利要求1所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述电特性阈值根据影响所述LED芯片亮度的影响因素确定，所述影响因素包括芯片尺寸特征、芯片出光波长、所述预设脉冲的宽度及所述预设脉冲的幅度。6.如权利要求5所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述芯片尺寸特征为芯片表面积。7.如权利要求1或6所述的LED芯片筛选方法，其特征在于，所述LED芯片为蓝光芯片，所述LED芯片长175
±

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠民，谭文辉，庄文荣，
申请(专利权)人：东莞市中麒光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：