半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法及系统，包括以下步骤：步骤S1：将粉料加工成坯料进行一次成型烧结；步骤S2：将烧结好的坯料放进治具中，并通过治具上的螺丝锁紧固定坯料；步骤S3：将坯料连同治具放在平面磨床上，采用砂轮精磨平面；步骤S4：将磨好的坯料放在立磨设备上，校准中心，采用加长刀杆装上砂轮，精磨内腔圆弧至目标尺寸；步骤S5：采用数控车床对坯料内腔进行磨削加工。本发明专利技术针对目前国内没有大型锅形陶瓷件加工方法的现状提出了一种全流程的加工方法，具有较高的应用前景。用前景。用前景。

【技术实现步骤摘要】
半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法及系统


[0001]本专利技术涉及陶瓷加工
，具体地，涉及一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法及系统。

技术介绍

[0002]目前半导体行业CVD设备用的大型锅形陶瓷件均被欧美、日本等工业发达国家垄断和封锁。然而国内目前大型锅形陶瓷件的加工方法、工艺和工装治具均处于空白状态。
[0003]由于金属的洛氏硬度普遍在30
°‑
65
°
范围内，而高纯Al2O3陶瓷的洛氏硬度在85
°‑
95
°
，因此金属加工领域相关的加工工艺不适用于高纯Al2O3陶瓷加工。
[0004]对于纯度达到99.5％
‑
99.9％的Al2O3陶瓷产品，其密度在3.5g/cm3‑
3.97g/cm3，洛氏硬度在85
°‑
95
°
，材料特性脆且易崩裂，加工过程各工序难度极高，为此，专利技术了一种陶瓷件加工方法。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中的缺陷，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：将粉料加工成坯料进行一次成型烧结；步骤S2：将烧结好的坯料放进治具中，并通过治具上的螺丝锁紧固定坯料；步骤S3：将坯料连同治具放在平面磨床上，采用砂轮精磨平面；步骤S4：将磨好的坯料放在立磨设备上，校准中心，采用加长刀杆装上砂轮，精磨内腔圆弧至目标尺寸；步骤S5：采用数控车床对坯料内腔进行磨削加工。2.根据权利要求1所述的半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于：所述步骤S3包括以下子步骤：步骤S3.1：将坯料连同治具放在平面磨床上，找正平面，将治具固定；步骤S3.2：采用φ150砂轮精磨平面，使坯料高度达到工艺要求。3.根据权利要求1所述的半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于：所述步骤S4包括以下子步骤：步骤S4.1：将磨好的坯料放在立磨设备上，校正中心，保证平面度为0.02，将治具进行固定；步骤S4.2：采用加长刀杆装上φ150砂轮，精磨内腔圆弧至图纸尺寸。4.根据权利要求1所述的半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于：所述步骤S5包括以下子步骤：步骤S5.1：采用压板压紧治具，内圆分中，保证平面度0.02；步骤S5.2：采用加长刀杆装上φ16.5磨头加工内腔底面，达到工艺要求。5.根据权利要求1所述的半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于：加工过程采用硬度10的金刚石刀具。6.根据权利要求1所述的半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于：加工过程中刀具的走刀方式为：孔采用螺旋式走刀加工，槽和...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，王维详，熊明鹏，陶近翁，陶岳雨，
申请(专利权)人：卡贝尼新材料科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：