垂直场效应晶体管和用于构造其的方法技术

提供了一种垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，其具有漂移区域(204)；在所述漂移区域(204)上或在所述漂移区域上方的半导体鳍片(230)，以及在所述半导体鳍片(230)上或在所述半导体鳍片上方的连接端区域(212)，构造在所述半导体鳍片(230)的至少一个侧壁旁边的栅电极(220)，其中，所述半导体鳍片(230)在横向地布置在所述栅电极(220)旁边的第一区段(208)中具有比在接触所述漂移区域(204)的第二区段(206)中和/或比在接触所述连接端区域(212)的第三区段(210)中更小的横向延伸。(212)的第三区段(210)中更小的横向延伸。(212)的第三区段(210)中更小的横向延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】垂直场效应晶体管和用于构造其的方法


[0001]本专利技术涉及一种垂直场效应晶体管和一种用于构造其的方法。

技术介绍

[0002]在汽车领域，随着朝向电动汽车的进步发展，用于快速且无损耗切换的功率半导体的解决方案是受青睐的。在此，从横向构件到垂直构件的同步趋势以及近几十年来确立的朝向所谓的“宽带隙(wide
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band
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gap)”材料(即，具有宽的带间隙的半导体材料，例如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN))的硅技术的趋势导致新的构件概念和制造工艺的发展。
[0003]对于具有宽的带间隙的半导体的应用，所谓的功率FinFET(Fin＝Finne，鳍片，FET＝Feldeffekttransistor，场效应晶体管)的使用可以是有利的。在常规的MOSFET或者MISFET中，有源的能切换的部件由反转沟道提供，例如由在npn结中的p区提供，在所述npn结中通过施加栅极电压构造电子路径。反之，在功率FinFET中，能切换的部件由窄的半导体鳍片构成，所述半导体鳍片由于其几何结构和栅极金属化的相配的选择而能切换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，其具有：漂移区域(204)；在所述漂移区域(204)上或在所述漂移区域上方的半导体鳍片(230)；在所述半导体鳍片(230)上或在所述半导体鳍片上方的连接端区域(212)；和构造在所述半导体鳍片(230)的至少一个侧壁旁边的栅电极(220)，其中，所述半导体鳍片(230)在横向地布置在所述栅电极(220)旁边的第一区段(208)中具有比在接触所述漂移区域(204)的第二区段(206)中和/或比在接触所述连接端区域(212)的第三区段(210)中更小的横向延伸。2.根据权利要求1所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，其中，所述半导体鳍片(230)具有至少一个基本上直线的侧壁。3.根据权利要求1或2中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，其中，所述半导体鳍片(230)具有直线的第一侧壁和直线的第二侧壁，所述第二侧壁与所述第一侧壁对置。4.根据权利要求1至3中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，其中，所述连接端区域(212)具有比所述半导体鳍片(230)在所述第三区段(210)中的横向延伸更大的横向延伸。5.根据权利要求1至4中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，其中，所述半导体鳍片(230)在所述第二区段(206)中具有连接区域(402)，所述连接区域具有比在所述第一区段(208)中的半导体鳍片(230)和/或比所述漂移区域(204)更大的导电性。6.根据权利要求5所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，所述垂直场效应晶体管还具有屏蔽结构(404)，所述屏蔽结构横向地构造在所述连接区域(402)旁边，其中，所述屏蔽结构(404)具有与所述连接区域(402)不同的导电性类型。7.根据权利要求1至6中任一项所述的垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，所述垂直场效应晶体管还具有绝缘层(223)，所述绝缘层布置在所述栅电极(220)和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：罗伯特，
类型：发明
国别省市：