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提供了一种垂直场效应晶体管(200，300，400，500，600)，其具有漂移区域(204)；在所述漂移区域(204)上或在所述漂移区域上方的半导体鳍片(230)，以及在所述半导体鳍片(230)上或在所述半导体鳍片上方的连接端区域(212...
该专利属于罗伯特所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特授权不得商用。

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