具有堆叠沟槽接触部和栅极带的晶体管装置制造方法及图纸

本文公开的是具有沟槽接触部的晶体管装置，沟槽接触部具有彼此堆叠的两个部分：第一沟槽接触部和第二沟槽接触部。这样的晶体管装置可以通过如下方式制造：在晶体管的源极或漏极接触部之上形成第一沟槽接触部，使第一沟槽接触部凹陷，在第一沟槽接触部之上形成第二沟槽接触部，以及，最后，形成栅极接触部，该栅极接触部与第二沟槽接触部电隔离，同时与其自对准。与形成沟槽和栅极接触部的常规方法相比，这样的制造工艺可以在增大的边缘放置误差容限、成本效率和器件性能方面提供改进。第一沟槽接触部的导电材料也可以沉积在晶体管的栅极电极之上，形成栅极带，以有利地减小栅极电阻。阻。阻。

【技术实现步骤摘要】
具有堆叠沟槽接触部和栅极带的晶体管装置


[0001]本公开总体上涉及半导体器件领域，并且更具体地，涉及晶体管装置。

技术介绍

[0002]场效应晶体管(FET)(例如，金属
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氧化物
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半导体(MOS)FET(MOSFET))是一种包括源极、漏极和栅极端子并且使用电场来控制流经器件的电流的三端子器件。FET通常包括半导体沟道材料、提供于沟道材料中的源极和漏极区、以及至少包括栅极电极材料并且还可以包括栅极电介质材料的栅极堆叠体，该栅极堆叠体提供于源极区与漏极区之间的沟道材料的一部分之上。因为栅极电极材料常常包括金属，所以晶体管的栅极通常称为“金属栅极”。
[0003]最近，具有非平面架构的FET(例如，FinFET(有时也称为“环绕栅极晶体管”或“三栅极晶体管”))和纳米带/纳米线晶体管(有时也称为“全环绕栅极晶体管”)已经作为具有平面架构的晶体管的替代而得到了广泛探索
附图说明
[0004]通过以下具体实施方式，结合附图，将容易理解实施例。为了方便这种描述，类似的附图标记指示类似的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管装置，包括：沟道材料；所述沟道材料的栅极部分之上的栅极电极材料；所述沟道材料与所述栅极部分相邻的部分中的源极或漏极(S/D)接触材料；所述S/D接触材料之上的第一导电材料(TCN1材料)；所述TCN1材料之上的第二导电材料(TCN2材料)；以及所述栅极电极材料的一部分之上的过孔开口，所述过孔开口在所述过孔开口的侧壁处和在所述过孔开口的底部的至少一部分处具有电介质材料，并且还具有用所述电介质材料填充所述过孔开口的至少一部分的第三导电材料(VCG材料)，其中：所述过孔开口最接近所述TCN2材料的侧壁处的所述电介质材料在所述VCG材料与所述TCN2材料之间，并且所述过孔开口的所述底部处的所述电介质材料在所述VCG材料与所述S/D接触材料之上的所述TCN1材料之间。2.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述过孔开口自对准到所述TCN2材料。3.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述电介质材料在所述过孔开口的位于所述过孔开口的最接近所述TCN2材料的侧壁与所述栅极电极材料的侧壁之间的部分中具有接缝。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶体管装置，其中，所述TCN1材料相对于所述栅极电极材料是凹陷的。5.根据权利要求4所述的晶体管装置，其中，所述TCN1材料的顶部与所述栅极电极材料的顶部之间的距离至少为大约5纳米。6.根据权利要求4所述的晶体管装置，其中，所述过孔开口的所述底部处的最低部分与所述TCN1材料的顶部对准。7.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶体管装置，其中，所述VCG材料与所述栅极电极材料的顶部的一部分和所述栅极电极材料的侧壁的一部分接触。8.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶体管装置，其中：所述沟道材料的所述栅极部分是第一栅极部分，所述晶体管装置还包括在所述沟道材料的与所述第一栅极部分不同的第二栅极部分之上的所述栅极电极材料；所述电介质材料是第一电介质材料，所述晶体管装置还包括所述第二栅极部分之上的所述栅极电极材料的顶部之上的第二电介质材料，并且所述第二电介质材料的一部分位于所述TCN2材料与所述第二栅极部分之上的所述栅极电极材料之间。9.根据权利要求8所述的晶体管装置，还包括在所述第二电介质材料的并非位于所述TCN2材料与所述第二栅极部分之上的所述栅极电极材料之间的部分之上的蚀刻停止材料。10.根据权利要求8所述的晶体管装置，还包括在所述第二栅极部分之上的所述栅极电极材料与所述TCN1材料之间的所述第二电介质材料。
11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：