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本文公开的是具有沟槽接触部的晶体管装置，沟槽接触部具有彼此堆叠的两个部分：第一沟槽接触部和第二沟槽接触部。这样的晶体管装置可以通过如下方式制造：在晶体管的源极或漏极接触部之上形成第一沟槽接触部，使第一沟槽接触部凹陷，在第一沟槽接触部之上形成...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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