半导体结构及半导体结构的制作方法技术

本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构包括互连线层，互连线层包括第一区域和第二区域，第一区域上包括第一对准标记；隔离结构设置在互连线层的第二区域上；再分布层随形覆盖互连线层的第一区域和隔离结构，再分布层包括第二对准标记，第二对准标记位于第一对准标记上方。在本公开的半导体结构中，部分再分布层覆盖第一对准标记形成第二对准标记，第一对准标记的形貌转移到第二对准标记，第二对准标记相对第一对准标记的偏差较小，进行封装过程中，可以通过探针对再分布层的第二对准标记进行识别，便于对半导体结构进行量测和定位封装，提高了半导体结构的定位精度。提高了半导体结构的定位精度。提高了半导体结构的定位精度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制作方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]半导体封装向小型化、高集成度和多功能性方向发展，对于半导体封装的可靠性的要求越来越高。为了确保封装效果，在后段制程中，为了降低连线复杂度，通常在半导体结构的前段制程中，在半导体结构上形成对准标记，通过探针检测对准标记，以提升制程封装过程的可靠性。
[0003]但是，后段制程中，可能会在前段制程的半导体结构上覆盖多层材料层，前段制程中的半导体结构的对准标记的形貌需要经过多次转移，导致对准标记的形貌发生极大变化，影响探针检测的精确度。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。
[0006]本公开的第一方面提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：互连线层，所述互连线层包括第一区域和第二区域，所述互连线层的第一区域包括第一对准标记；隔离结构，所述隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：互连线层，所述互连线层包括第一区域和第二区域，所述互连线层的第一区域包括第一对准标记；隔离结构，所述隔离结构设置在所述互连线层的第二区域；再分布层，所述再分布层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，所述再分布层包括第二对准标记，所述第二对准标记位于所述第一对准标记的上方。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域与所述第二区域相邻，所述再分布层覆盖所述隔离结构的侧壁。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：介质层，所述介质层设置在所述互连线层的第一区域，所述介质层位于所述互连线层与所述再分布层之间，所述介质层的厚度小于预设阈值。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述隔离结构的顶部。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，所述阻挡层位于所述再分布层的下方。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括功能区域，所述互连线层的第一区域与所述功能区域电性隔离。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一对准标记包括多个第一子标记，所述第二对准标记包括多个第二子标记；相邻的所述第一子标记之间的间距为第一间距，相邻的所述第二子标记之间的间距为第二间距，所述第二间距为所述第一间距的80%
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98%。8.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供第一结构，所述第一结构包括互连线层以及隔离结构，所述互连线层包括第一区域和第二区域，所述互连线层的第一区域形成有第一对准标记，所述隔离结构形成于所述互连线层的第二区域；形成再分布层，所述再分布层随形覆盖所述互连线层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛东，
申请(专利权)人：长鑫集电北京存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：