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本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法,涉及半导体技术领域,半导体结构包括互连线层,互连线层包括第一区域和第二区域,第一区域上包括第一对准标记;隔离结构设置在互连线层的第二区域上;再分布层随形覆盖互连线层的第一区域和隔离结构,再分...该专利属于长鑫集电(北京)存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫集电(北京)存储技术有限公司授权不得商用。
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