应用于射频功率放大器的偏置电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于射频功率放大器的偏置电路，其包括一与射频功率放大器连接的动态电流调节电路，其包括第一至第四三极管、第一至第四电阻及第一电容；第四电阻与外部基准电压、第一电阻、第三电阻连接，第三电阻与第四三极管连接；第一电阻与第一三极管连接；第一三极管的集电极与基极共同连接，其发射极与第四三极管连接；第二电阻与外部电源电压、第二三极管、第三三极管连接；第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极共同连接并与第一电容连接；第二三极管与第四三极管连接；第三三极管与射频功率放大器连接。本实用新型专利技术的方案有效抑制了射频功率放大器的温漂性能，减小了射频功率放大器对温度变化的敏感度，提高了工作的稳定性。了工作的稳定性。了工作的稳定性。

Bias circuit for RF power amplifier

【技术实现步骤摘要】
应用于射频功率放大器的偏置电路


[0001]本技术涉及射频微波领域，更具体地涉及一种应用于射频功率放大器的偏置电路。

技术介绍

[0002]随着移动通信技术的不断发展，新移动通信系统(5G)对数据传输速率提出了更高的要求，需要高宽带调制信号进行数据传输，从而增大了线性射频功率放大器设计的难度。
[0003]射频功率放大器在工作时，随着功率放大器工作时间的推进及射频输入信号的增加，放大器的温度逐渐升高，电路中的功率管根据其物理特性(PN节温度上升，发射区中电子受热激发，漂移电子总数随温度升高而增加)使放大器电流增加，影响放大器工作状态，进而影响放大器的线性度(随着晶体管的工作状态的变化逐渐降低)。此时需要通过偏置电路提供额外的电流来补偿，以提升电路线性度。
[0004]请参考图1，图1为现有技术应用于射频功率放大器的偏置电路的结构图，该结构为现有的主流方案，如图1所示，射频通路的三极管Q4的静态偏置电流由三极管Q1、三极管Q3、电阻R1及镇流电阻R2提供，其中，三极管Q1、三极管Q3、电阻R1构成电流镜，三极管Q4的温度变化的补偿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括一与所述射频功率放大器连接的动态电流调节电路，所述动态电流调节电路对所述射频功率放大器的输入电流进行动态调节；其中，所述动态电流调节电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第一电容；所述第四电阻一端与外部基准电压连接，其另一端与所述第一电阻、第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端与第四三极管的集电极连接；所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的集电极连接；所述第一三极管的集电极与基极共同连接，其发射极与第四三极管的集电极连接，第四三极管的发射极接地；所述第二电阻一端与外部电源电压连接，其另一端与第二三极管的集电极、第三三极管的集电极连接；所述第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极共同连接并与所述第一电容一端连接，所述第一电容的另一端接地；所述第二三极管的发射极与第四三极管的基极连接；所述第三三极管的发射极与所述射频功率放大器连接。2.如权利要求1所述的应用于射频功率放...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，张宗楠，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：