半导体激光装置制造方法及图纸

具备：半导体激光光源(3)，将光束中心(Cb)倾斜(α)地设置，使得具有朝向管座(2)的安装面(2ft)的成分；反射面(4fm)，使来自半导体激光光源(3)的激光朝向透镜(6)反射；以及第二反射面(5fm)，与反射面(4fm)的靠近半导体激光光源(3)侧的端部相连，并使激光朝向透镜(6)反射，反射面(4fm)以及第二反射面(5fm)中的一方由形成于测量激光的光量的PD芯片(41)的电介质多层膜构成，将反射面(4fm)的倾斜度(β)设定为从45

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光装置


[0001]本申请涉及半导体激光装置。

技术介绍

[0002]在通信用的半导体激光装置中，若将对来自半导体激光芯片(LD芯片)的输出进行监视的光电二极管芯片(PD芯片)配置于LD芯片的后端侧，则前方光输出与后方光输出的比率不稳定，难以进行高精度的控制。为此，提出了一种使监视前方光输出的光电二极管芯片(PD芯片)相对于管座上表面倾斜45
°
，而使从LD芯片射出的前方光向向垂直方向弯曲的半导体激光装置(例如，参照专利文献1、2。)。
[0003]另外，公开了一种为了减少光耦合损耗，而用弯曲、或非平面性的光反射器使激光弯曲，而收敛到光纤的构造(例如，参照专利文献3。)。
[0004]专利文献1：日本特开平8
‑
116127号公报(段落0022～0027，图1～图4)
[0005]专利文献2：日本特开2005
‑
260223号公报(段落0016～0030，图1～图2)
[0006]专利文献3：日本特表2008
‑
535259号公报(段落0019～0021，图4)
[0007]这里，由于从LD芯片射出的激光存在扩散，所以激光在反射面处的入射角根据从光轴起的角度而变化，由此使得反射率产生分布。然而，在上述各文献所公开的技术中，针对反射率的分布没有任何考虑，其结果，激光的强度分布溃散，通信品质有可能劣化。

技术实现思路

[0008]本申请公开一种用于解决上述课题的技术，目的在于实现一种能够抑制通信品质的劣化和光输出的降低的半导体激光装置。
[0009]本申请所公开的半导体激光装置具备：管座，相对于射出口隔开间隔且相对地配置有安装面；半导体激光光源，设置成光束中心具有朝向上述安装面的成分；反射面，使从上述半导体激光光源入射的激光朝向上述射出口反射；以及第二反射面，与上述反射面的靠近上述半导体激光光源侧的端部相连，并使从上述半导体激光光源入射的激光朝向上述射出口反射，上述反射面以及上述第二反射面中的一方由形成于测量上述激光的光量的光电二极管的电介质多层膜构成，若将在与上述安装面垂直且包含上述光束中心的面内的、上述光束中心相对于上述安装面的倾斜度设为α，则上述反射面的倾斜度β设定为从45
°
减去比α小的值而得的值，上述第二反射面的倾斜度γ设定为从45
°
减去比α大的值而得的值。
[0010]根据本申请所公开的半导体激光装置，由于使用倾斜度不同的两级反射面减小入射角的分布，所以能够得到能够抑制通信品质的劣化和光输出的降低的半导体激光装置。
附图说明
[0011]图1A和图1B分别是实施方式1所涉及的半导体激光装置的俯视图和剖视图。
[0012]图2是表示PD芯片表面处的激光的反射率的入射角依赖性的图表形式的图。
[0013]图3是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置中的激光与反射面的角度关系的
图。
[0014]图4是实施方式2所涉及的半导体激光装置的剖视图。
[0015]图5是实施方式3所涉及的半导体激光装置的剖视图。
[0016]图6A和图6B分别是实施方式3所涉及的半导体激光装置的俯视图和剖视图。
具体实施方式
[0017]实施方式1
[0018]图1A～图3是用于对实施方式1所涉及的半导体激光装置的结构和动作进行说明的图，图1A、图1B是从透视镜侧观察半导体装置时的俯视图(图1A)、和由图1A的A－A线切断的与半导体激光装置的管座上表面(安装面)垂直且包含激光的光束中心在内的面的剖视图(图1B)。另外，图2是表示激光在PD芯片表面处的反射率的入射角依赖性的图表形式的图。并且，图3是表示在与图1B对应的位置关系下的激光与反射面的角度关系的图。
[0019]如图1A、图1B所示，本申请的各实施方式所涉及的半导体激光装置1具有：LD芯片31，使激光振荡；和PD芯片41，监视从LD芯片31射出的前方光的强度，并且朝向透镜6反射前方光。作为半导体激光装置1的射出口的透镜6，相对于安装LD芯片31以及PD芯片41的管座2的安装面2ft，隔开间隔，使光轴X6垂直地相对配置。
[0020]并且，在管座2中的PD芯片41与LD芯片31之间配置有第二反射部5，该第二反射部5具有相对于PD芯片41的反射面4fm与LD芯片31侧相连的第二反射面5fm。LD芯片31以向光束中心Cb(图3)朝向安装面2ft的方向射出激光的方式相对于安装面2ft倾斜地配置，并且构成为使从前端面3fe射出的激光通过第二反射面5fm和反射面4fm朝向透镜6向上方反射。
[0021]为此，使管座2的用于设置LD芯片31的倾斜台2ma、用于设置PD芯片41的倾斜台2mb、以及用于设置第二反射部5的倾斜台2mc，分别具备具有后述关系的倾斜度。LD芯片31经由LD次基台32安装于倾斜台2ma，PD芯片41经由PD次基台42安装于倾斜台2mb。而且，第二反射面5fm是通过经由PD次基台52将PD芯片51安装于倾斜台2mc而形成的。
[0022]此外，将LD芯片31和LD次基台32合称为半导体激光光源3，将PD芯片41和PD次基台42合称为反射部4。同样，将PD芯片51和PD次基台52合称为第二反射部5。此外，作为半导体激光装置1，例如具备电路部件等图示以外的其他部件，但在本申请中，仅抽取光学要素进行说明。
[0023]PD芯片41作为测量从LD芯片31射出的激光的强度的监视器发挥功能，并且形成通过电介质多层膜反射激光的反射面4fm。电介质多层膜是将折射率不同的材料堆积成层构造而成的构造，例如通过将Si和SiO2堆积成多层构造的膜，能够高效地反射激光。此外，电介质多层膜由于通过控制层数能够改变光的反射率，因此能够将所需的激光的一部分引入到PD芯片41，来测量强度。另外，作为第二反射部5的PD芯片51，与PD芯片41同样地，通过电介质多层膜形成反射激光的第二反射面5fm。此外，并不局限于电介质多层膜，只要能够以透过一部分光的方式形成，则也可以构成为用金属反射膜等来反射激光。
[0024]而且，本申请的各实施方式所涉及的半导体激光装置1的特征在于，根据激光的扩散(扩散角θ)，来设定相对于安装面2ft的半导体激光光源3的倾斜度α、反射面4fm的倾斜度β、以及第二反射面5fm的倾斜度γ。在对该详细情况进行说明之前，对专利文献1、2所公开的一般激光半导体装置中的反射进行说明。
[0025]例如，在自光束中心Cb的扩散角θ为0
°
即平行光的情况下，即使相对于管座上表面平行地配置LD芯片，并仅用倾斜45
°
的反射面朝向透镜向上方反射，入射角也全部成为45
°
。即，在仅处理平行光的情况下，只要用如专利文献1、2所记载的那样的相对于管座上表面具有45
°
即相对于激光具有135
°
(180
°
－45...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光装置，其特征在于，所述半导体激光装置具备：管座，相对于射出口隔开间隔且相对地配置有安装面；半导体激光光源，设置成光束中心具有朝向所述安装面的成分；反射面，使从所述半导体激光光源入射的激光朝向所述射出口反射；以及第二反射面，与所述反射面的靠近所述半导体激光光源侧的端部相连，并使从所述半导体激光光源入射的激光朝向所述射出口反射，所述反射面以及所述第二反射面中的一方由形成于测量所述激光的光量的光电二极管的电介质多层膜构成，若将在与所述安装面垂直且包含所述光束中心的面内的、所述光束中心相对于所述安装面的倾斜度设为α，则所述反射面的倾斜度β设定为从45
°
减去比α小的值而得的值，所述第二反射面的倾斜度γ设定为从45
°
减去比α大的值而得的值。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述反射面与所述第二反射面的边界，设定在比从所述半导体激光光源的发光点向所述反射面引出的垂线的垂足远离所述半导体激光光源的一侧。3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，若将所述倾斜度β设为45

【专利技术属性】
技术研发人员：小坂尚希，渊田步，中村直干，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：